产品系列：FHW1008
　　封装/尺寸：0603（1.6mm x 0.8mm）
　　直流电阻(DCR)典型值：0.35 Ω
　　额定电流：500 mA
　　阻抗频率：100 MHz
　　阻抗值：180 Ω ± 20%
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　安装类型：表面贴装(SMT)
　　磁珠类型：绕线型铁氧体磁珠

FHW1008IF180KST的最显著特性之一是其在100 MHz频率下提供180 Ω（±20%）的高阻抗表现，这使得它非常适合用于抑制高频开关噪声和射频干扰，尤其是在DC-DC转换器输出端、LDO输入/输出端以及高速数字电路的电源轨上。这种高阻抗特性源于其精密绕线结构与定制铁氧体材料的协同作用，在目标频段内形成有效的阻流效应，从而阻止噪声沿电源路径传播。相较于多层陶瓷磁珠，绕线结构提供了更优的Q值控制和更低的寄生电容，有助于避免谐振问题，提升滤波稳定性。
　　该器件具备较低的直流电阻（典型值仅为0.35 Ω），这意味着在通过额定500 mA电流时产生的压降和功耗非常小，有利于提高系统效率并减少发热风险。这一特性对于电池供电设备尤为重要，因为它能够在不显著影响电源效率的前提下实现噪声抑制。此外，低DCR也有助于维持电源电压稳定，避免因磁珠压降过大而导致后级IC供电不足的问题。
　　FHW1008IF180KST的工作温度范围宽达-55°C至+125°C，表明其可在极端环境条件下保持可靠运行，适用于工业级甚至部分汽车电子应用场景。其表面贴装0603封装符合现代SMT生产工艺标准，支持回流焊工艺，具备良好的可制造性和焊接可靠性。由于采用绕线结构，该磁珠对机械应力相对敏感，建议在PCB设计时避免靠近弯曲区域或大热胀冷缩区域以防止开裂或性能退化。整体而言，这款磁珠在高频性能、电流承载能力和小型化之间实现了良好平衡，是高性能EMI滤波需求下的优选方案。

FHW1008IF180KST主要用于各类需要高效电磁干扰抑制的电子系统中。常见应用包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理单元（PMU）去耦滤波，用于消除DC-DC变换器产生的开关噪声，防止其耦合到敏感模拟电路或射频前端模块。在无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）中，该磁珠可用于隔离不同功能区块的电源域，提升信号完整性和抗干扰能力。
　　在工业控制和嵌入式系统中，FHW1008IF180KST常被部署于微控制器（MCU）、FPGA或ASIC的I/O电源引脚处，作为局部去耦元件以滤除高频瞬态噪声。此外，它也适用于传感器接口电路、ADC/DAC参考电压通道以及低噪声放大器（LNA）偏置网络中，确保关键信号链路不受电源纹波影响。
　　由于其较小的封装尺寸和良好的高频特性，该器件特别适合高密度PCB布局设计，尤其在空间受限但EMI要求严格的场合表现出色。例如，在摄像头模组、音频编解码电路和高速数据传输线路（如USB、I2C总线）中，FHW1008IF180KST可用于构建π型或LC滤波网络，进一步增强系统的电磁兼容性（EMC）。总之，任何需要在有限空间内实现优异高频噪声抑制效果的设计均可考虑使用此型号磁珠。

Murata BLM18AG181SN1