FHT8550Y-E是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业控制、变频器、逆变焊机等领域。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和低驱动功率特性与双极型晶体管的低导通压降特性,具有较高的电流承载能力和开关速度。
这款IGBT模块采用了先进的封装技术,能够有效降低热阻并提高散热性能,同时优化了开关特性和可靠性,使其在高频开关应用中表现出色。
额定电压:1200V
额定电流:50A
集电极-发射极饱和电压:≤2.0V
栅极-发射极开启电压:15V
最大功耗:350W
工作温度范围:-40℃至+150℃
FHT8550Y-E的主要特性包括:
1. 高效的开关性能:通过优化芯片设计和封装结构,降低了开关损耗,提升了效率。
2. 优秀的热稳定性:采用增强型散热设计,确保在高温环境下也能稳定运行。
3. 高可靠性:经过严格的老化测试和质量检验,具备较长的使用寿命。
4. 短路耐受能力:能够在短时间内承受较大的短路电流而不损坏,提高了系统的安全性。
5. 抗干扰能力强:内置保护电路,可有效防止电磁干扰对器件的影响。
6. 小型化设计:相较于传统IGBT模块,体积更小,便于安装和集成。
FHT8550Y-E适用于以下领域:
1. 工业变频器:用于电机驱动系统中,实现精确的速度和转矩控制。
2. 新能源发电:如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换。
3. 电动汽车:作为主驱逆变器的核心元件,提供高效的动力输出。
4. 焊接设备:在逆变焊机中用作功率开关,保证焊接质量和效率。
5. UPS电源:为不间断电源系统提供稳定的功率支持。
6. 其他高频开关应用:如感应加热、软启动器等场景。
FZ1200N50B, IRG4PC50UD, CMF50HA120