型号：FHT8050O
　　封装：TO-252（D-PAK）
　　极性：N沟道
　　漏源电压Vds：50V
　　栅源电压Vgs：±20V
　　连续漏极电流Id（@25℃）：75A
　　脉冲漏极电流Idm：260A
　　导通电阻Rds(on)（@Vgs=10V）：≤6.5mΩ
　　导通电阻Rds(on)（@Vgs=4.5V）：≤8.5mΩ
　　阈值电压Vgs(th)：1.0~2.5V（典型值约1.8V）
　　输入电容Ciss：约3400pF（@Vds=25V）
　　输出电容Coss：约950pF（@Vds=25V）
　　反向传输电容Crss：约180pF（@Vds=25V）
　　总栅极电荷Qg（@Vgs=10V, Id=37.5A）：约65nC
　　上升时间tr：约25ns
　　下降时间tf：约20ns
　　工作结温范围Tj：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围Tstg：-55℃ ~ +150℃

FHT8050O采用先进的沟槽型场效应晶体管工艺设计，具备极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下可低至6.5mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了系统的能效表现，尤其适用于高电流密度工作的电源转换场合。其低Rds(on)特性得益于优化的晶圆制造工艺和单元结构设计，使得单位面积内可集成更多的有效导电通道，从而提高载流能力。该器件具有优异的开关特性，包括较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这意味着在高频开关应用中能够减少驱动功耗并加快开关速度，有效抑制因开关延迟引起的能量浪费。同时，较小的输入和输出电容（Ciss、Coss）也有助于提升高频响应能力，使其适用于DC-DC变换器、同步整流等对动态响应要求较高的电路。
　　FHT8050O具备良好的热稳定性和可靠性，其最大结温可达150℃，支持在高温环境下长时间运行。器件内部采用了高质量的硅芯片和键合工艺，确保在大电流冲击或瞬态负载变化下仍能保持稳定的电气性能。此外，该MOSFET具备一定的单脉冲雪崩能量耐受能力，能够在意外过压或感性负载关断时吸收一定能量而不发生永久性损坏，提高了整个系统的鲁棒性。TO-252封装不仅提供了优良的散热路径，还兼容标准SMT贴片工艺，便于大规模生产。该封装形式的引脚排列合理，减少了寄生电感，有利于减小电磁干扰（EMI）。
　　该器件的阈值电压范围适中（1.0~2.5V），保证了在逻辑电平信号驱动下也能可靠开启，适用于3.3V或5V控制系统的直接驱动应用。同时，±20V的栅源电压耐受能力使其在存在电压波动或噪声干扰的环境中依然安全运行，避免栅氧层击穿风险。FHT8050O在整个生命周期内表现出稳定的参数一致性，批次间差异小，有利于产品量产时的质量控制。综合来看，这款MOSFET在性能、成本与可靠性之间实现了良好平衡，是中低端功率应用中的优选器件之一。

FHT8050O主要应用于各类中低电压直流电源系统中，作为主开关管或同步整流管使用。常见于笔记本电脑适配器、手机充电器、LED恒流驱动电源等开关模式电源（SMPS）拓扑结构中，特别是在Buck、Boost和半桥等DC-DC转换电路中发挥关键作用。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件非常适合用于电池供电设备中的功率开关，如电动工具、便携式医疗设备和无人机电源管理系统，能够在有限空间内实现高效能量传输。在电机驱动领域，FHT8050O可用于H桥电路中的上下桥臂开关，控制直流电机或步进电机的正反转与调速，广泛应用于家用电器（如风扇、洗衣机）、工业自动化设备和机器人控制系统。
　　此外，该器件也常被用作电子负载开关、热插拔控制器或过流保护电路中的主控元件，利用其快速响应能力和低损耗特性实现精准的通断控制。在通信设备电源模块、服务器电源单元以及工业PLC的供电部分，FHT8050O凭借其稳定可靠的表现成为常用的功率开关选择。由于其封装形式为TO-252，易于安装散热片，因此在需要中等功率输出且注重散热设计的产品中尤为受欢迎。同时，该器件也可用于逆变器、UPS不间断电源和太阳能控制器等新能源相关设备中，承担能量转换与调控功能。总体而言，FHT8050O凭借其高性能与高性价比，已成为众多中功率电力电子系统中的核心元器件之一。

AP8050M
　　SI2302DS
　　AON6204
　　IRLZ44NPBF
　　STP75NF50