型号：FHS3904E
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：16 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：60 A
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：4.5 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：6.2 mΩ
　　阈值电压（Vth）typ：1.5 V
　　输入电容（Ciss）@ 15 V：1070 pF
　　反向恢复时间（trr）：18 ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：Power88 (SO-8L)
　　符合标准：AEC-Q101, RoHS, halogen-free

FHS3904E采用了安森美成熟的沟槽式MOSFET工艺，这种结构能够显著降低单位面积下的导通电阻，从而实现更高的电流承载能力和更低的功率损耗。其最大导通电阻在VGS=10V时仅为4.5mΩ，在同类30V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适合用于大电流输出的同步整流或低电压降的负载开关应用。由于RDS(on)随温度的变化较小，该器件在高温环境下依然能保持稳定的性能表现，避免了因热失控导致的系统失效。
　　该器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为18nC（在VGS=10V条件下），这意味着驱动电路所需的能量较少，有利于减少控制器的驱动负担，并提升整个电源系统的转换效率，尤其是在高频工作的开关电源中优势更为明显。同时，其输入电容（Ciss）为1070pF，保证了快速的开关响应速度，减少了开关过渡时间，进一步降低了开关损耗。
　　FHS3904E还具备出色的雪崩耐受能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的自我保护能力，增强了系统的鲁棒性。其反向恢复时间（trr）仅为18ns，配合体二极管的快速恢复特性，有效减少了在半桥或H桥拓扑中可能出现的直通电流风险。此外，该器件通过AEC-Q101汽车级认证，表明其在极端温度循环、湿度、机械振动等严苛环境条件下仍能可靠运行，因此非常适合车载信息娱乐系统、车灯驱动、电动门窗控制等汽车电子应用。
　　Power88封装不仅体积小巧（与标准SO-8兼容引脚排列），而且通过底部散热焊盘显著提升了热传导效率，允许器件在高功率密度下长期稳定工作。用户在PCB布局时可通过大面积敷铜连接到地层或散热区，以进一步改善热性能。此外，该封装支持回流焊工艺，便于自动化生产，提高了制造良率和一致性。

FHS3904E广泛应用于需要高效、紧凑型功率开关的场合。典型的应用包括同步降压变换器中的上下管开关，尤其适用于输出电流较大的DC-DC转换器，如主板VRM、GPU供电模块等。由于其低导通电阻和高电流能力，也常被用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，以及便携式设备中的负载开关或热插拔电路。在电机驱动领域，FHS3904E可用于驱动小功率直流电机或步进电机的H桥电路，实现正反转和调速功能。此外，凭借其AEC-Q101认证，该器件在汽车电子中也有广泛应用，例如车身控制模块、车载照明驱动、电动座椅和后视镜调节电路等。工业自动化设备中的电源管理单元、PLC模块和传感器供电系统也是其重要应用场景。

FDMC3904N
　　SISS50DN
　　AO4404
　　IRLHS3904PbF