型号：FHS110N8F5-TU
　　制造商：onsemi
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：80V
　　连续漏极电流(ID)：110A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：396A
　　导通电阻(RDS(on))：2.4mΩ @ VGS=10V, ID=55A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2.9V ~ 3.8V
　　栅极电荷(Qg)：73nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：10900pF @ VDS=40V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PowerD8 (TOLL)

FHS110N8F5-TU采用安森美的屏蔽栅极技术（SGT），这一创新结构通过在栅极下方引入一个屏蔽电极，有效降低了栅漏电容（Miller电容）和输出电容（COSS），从而显著减少了开关过程中的能量损耗。这种设计不仅提高了器件的开关速度，还增强了其在高频开关应用中的效率表现。由于屏蔽结构的存在，电场分布更加均匀，避免了传统平面或沟槽MOSFET中存在的电场集中问题，提升了器件的耐压能力和可靠性。
　　该器件的超低导通电阻RDS(on)仅为2.4mΩ，在大电流应用中可大幅降低I2R损耗，提高电源系统的整体能效。例如，在VRM（电压调节模块）或多相降压变换器中，多个FHS110N8F5-TU并联使用时仍能保持良好的均流特性与温升控制。同时，其低Qg特性使得驱动电路所需功耗更低，兼容主流控制器和驱动IC，简化了系统设计。
　　PowerD8封装是FHS110N8F5-TU的一大亮点，相较于传统的TO-220或D2PAK封装，它提供了更小的占板面积和更低的封装热阻（典型值约0.5°C/W）。顶部散热设计允许通过PCB上的金属层或外部散热片进行高效散热，特别适合于空间受限但功率密度高的应用场景。此外，该封装支持自动化贴装工艺，提升了生产效率和焊接一致性。
　　器件具备出色的雪崩能量承受能力，经过严格测试验证，可在瞬态过压条件下安全运行，增强了系统的鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr=28ns），减少了交叉导通风险，适用于硬开关和部分软开关拓扑。综合来看，FHS110N8F5-TU在导通损耗、开关损耗、热性能和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效率电源设计中的关键元件之一。

FHS110N8F5-TU广泛应用于各类高性能电源系统中，尤其是在需要高效率、高功率密度和良好热管理的场合。典型应用包括服务器和数据中心的VRM（电压调节模块），用于为核心处理器提供稳定、低噪声的供电。在这些系统中，多相交错式降压变换器常采用此类低RDS(on) MOSFET作为上下管，以实现高动态响应和低输出纹波。
　　该器件也适用于通信电源和工业电源中的DC-DC中间母线转换器，特别是在48V转12V或12V转负载点（PoL）的应用中表现出色。其低开关损耗和优异的热性能有助于提升系统效率，满足80 PLUS钛金等高能效认证要求。此外，在UPS（不间断电源）、电动工具电池管理系统以及工业电机驱动的H桥电路中，FHS110N8F5-TU也能发挥其大电流承载能力和快速开关的优势。
　　由于其具备较高的安全工作区（SOA）和抗雪崩能力，该MOSFET还可用于负载开关和热插拔控制器中，能够承受启动时的浪涌电流而不损坏。在太阳能逆变器和电动汽车充电设备中，作为辅助电源或同步整流器件使用时，也能有效提升转换效率。总之，FHS110N8F5-TU凭借其综合性能优势，已成为现代电力电子系统中不可或缺的关键组件之一。

FDB110N80F5,FDS110N80B6L