时间：2025/5/24 19:11:25
阅读：16
FHP80N08是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件适用于多种开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域，能够提供高效的电流控制能力。其低导通电阻和高击穿电压的特性使其在中高功率应用中表现优异。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：8A
导通电阻（典型值）：12mΩ
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：125W
工作结温范围：-55℃~175℃
FHP80N08具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，这使得它在高频开关应用中效率更高且产生的热量更少。此外，该器件具备快速开关速度和出色的热稳定性，能够在恶劣的工作条件下保持可靠的性能。
FHP80N08的TO-220封装设计有助于改善散热性能，适合长时间运行的功率转换场景。同时，它还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了整体的耐用性和可靠性。
该MOSFET广泛应用于开关模式电源（SMPS）、直流电机驱动、LED照明驱动电路、电池保护电路以及各种负载切换场景。其高效率和可靠性也使其成为工业自动化设备、家用电器和汽车电子的理想选择。
IRF840
STP80NF06
BUZ11
