FHP50N06 时间：2025/12/29 14:38:18 阅读：14

FHP50N06是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。这款器件采用先进的沟槽式技术，具备较低的导通电阻和高效的开关性能。FHP50N06的封装形式通常为TO-220或DPAK，适用于多种高功率应用场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：60V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：50A（在25℃）
　　功耗(Pd)：160W
　　导通电阻(Rds(on))：0.022Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55℃~150℃
　　封装形式：TO-220/DPAK

特性

FHP50N06 MOSFET具有多项优异的电气特性，使其适用于多种高功率密度设计。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。同时，该器件具备较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为50A，非常适合需要大电流操作的应用场景。此外，FHP50N06采用先进的沟槽式结构，使得其在高频开关应用中表现优异，降低了开关损耗。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。其工作温度范围为-55℃至150℃，适合在各种工业和汽车电子环境中使用。此外，FHP50N06的栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至10V），支持与多种驱动电路兼容，提高了设计灵活性。
　　从封装角度来看，TO-220和DPAK形式均具有良好的散热性能，有助于在高功率应用中保持稳定的工作温度。TO-220封装适用于通孔安装，而DPAK则适合表面贴装技术（SMT），为不同的PCB布局提供了便利。

应用

FHP50N06 MOSFET常用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关以及工业控制设备等。在电源转换器中，FHP50N06的低Rds(on)和高效开关特性能够显著提升整体能效。在电机控制应用中，它能够承受较大的瞬态电流并提供稳定的输出。此外，该器件也适用于车载电子系统，如汽车启动器、DC-AC逆变器和LED照明驱动电路。