FHP2N60 时间：2025/6/22 5:38:22 阅读：6

FHP2N60是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关和功率转换应用。它具有低导通电阻和高开关速度，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。
　　该器件采用TO-220封装形式，便于散热并适合多种工业应用需求。

参数

最大漏源电压：600V
　　最大连续漏极电流：2A
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（典型值）：4.5Ω
　　总功耗：125W
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

FHP2N60的主要特性包括：
　　1. 高耐压能力，能够承受高达600V的漏源电压，非常适合高压环境下的应用。
　　2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高效率。
　　3. 快速开关性能，具备短的开关时间和低的输入电容，从而支持高频操作。
　　4. 优秀的热稳定性及可靠性，适应宽广的工作温度范围。
　　5. 内置雪崩能量保护功能，提高了器件在异常条件下的耐用性。

应用

FHP2N60适用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）设计中的功率开关元件。
　　2. DC-DC转换器中的高频开关应用。
　　3. 各类电机驱动电路中的功率控制。
　　4. 负载切换和保护电路。
　　5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. 其他需要高效功率转换或高压开关的应用场景。