时间：2025/12/28 1:08:27
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FHP20N60A是一款由富士通半导体（后经多次并购与整合，相关产品线可能归属于其他厂商）推出的高压、大电流N沟道增强型功率MOSFET器件。该器件采用先进的平面栅极技术制造，专为高效率开关电源系统设计，具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热稳定性等特点。其额定电压高达600V，连续漏极电流可达20A，适用于多种中高功率应用场景，如AC-DC开关电源、DC-DC转换器、照明镇流器、电机驱动以及工业控制设备等。FHP20N60A封装形式通常为TO-220或TO-220F，具备良好的散热性能，同时内部集成了快速恢复体二极管，提升了在感性负载下的反向恢复能力，降低了电磁干扰（EMI）。该器件在设计上兼顾了可靠性和成本效益，广泛应用于消费类电子和工业级电源产品中。由于原厂已逐步退出部分功率器件市场，目前市场上流通的产品多为兼容型号或第二来源替代品，因此在选型时需关注制造商变更带来的参数差异问题。
型号：FHP20N60A
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）@25℃：20A
漏极电流（Idm）@脉冲：80A
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）@Max：0.22Ω @ Vgs=10V, Id=10A
阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：典型值1700pF @ Vds=25V
输出电容（Coss）：典型值90pF @ Vds=25V
反向恢复时间（trr）：约75ns
最大功耗（Ptot）：200W @ Tc=25℃
工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220/TO-220F
FHP20N60A具备多项关键电气与结构特性，使其在高电压开关应用中表现出色。首先，其600V的高漏源击穿电压确保了在标准市电整流后的母线电压下稳定运行，能够承受瞬态过压冲击，提高了系统可靠性。其次，该器件的低导通电阻（Rds(on)）仅为0.22Ω，在大电流条件下显著降低了导通损耗，有助于提升电源整体效率并减少散热需求。此外，器件采用了优化的晶圆工艺，实现了较低的栅极电荷（Qg），从而加快了开关速度，减少了开关过程中的能量损耗，特别适合高频PWM控制场合。
该MOSFET的阈值电压范围适中（2.0~4.0V），既能保证在标准逻辑电平驱动下可靠开启，又具备一定的抗噪声能力，防止误触发。其较大的输入电容（Ciss）要求驱动电路具备足够的驱动能力，但通过合理设计栅极电阻可有效抑制振铃现象。体二极管具有较快的反向恢复特性（trr≈75ns），可在桥式拓扑或感性负载切换过程中有效降低反向恢复电流尖峰，减少开关应力和电磁干扰。器件的TO-220封装提供了良好的热传导路径，允许通过加装散热片进一步提高功率处理能力。在安全方面，FHP20N60A具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在异常工况下吸收一定的瞬态能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。
FHP20N60A广泛应用于各类中高功率开关电源系统中。典型应用包括通用AC-DC开关电源，如电视、显示器、电脑电源适配器等，作为主开关管用于反激式或正激式拓扑结构，实现高效的能量转换。在LED照明驱动电源中，该器件可用于隔离型恒流驱动方案，提供稳定的高压直流到低压直流的变换功能，满足大功率LED灯具的需求。在工业领域，FHP20N60A常被用于电机控制电路中的功率开关元件，配合PWM调制技术实现精确的速度调节。此外，它也适用于DC-DC升压或降压转换器，在太阳能逆变器、UPS不间断电源和充电桩等设备中承担核心开关角色。由于其高耐压和较强电流承载能力，该器件还常见于电子镇流器、感应加热装置和小型逆变电源设计中。其稳定的高温工作性能使其能够在恶劣环境条件下长期运行，是工业自动化与能源管理系统中的理想选择之一。
STP20N60FP
K20N60
20N60F
FQP20N60C
SGH20N60FU
