型号：FHP13N50
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：13A
　　脉冲漏极电流（Idm）：52A
　　最大功耗（Pd）：150W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.38Ω（测试条件Vgs=10V, Id=6.5A）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF（测试条件Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：典型值380pF
　　反向恢复时间（trr）：未集成体二极管快速恢复功能，具体依赖外部设计
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

FHP13N50具备出色的电气性能与热稳定性，其核心优势之一是低导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下典型值仅为0.38Ω，这意味着在通过较大电流时产生的导通损耗较小，从而显著提升系统能效并降低温升。这对于高频率开关电源尤为重要，因为持续的高电流会导致明显的I2R损耗，而低Rds(on)可有效缓解这一问题，延长设备使用寿命。同时，该器件的最大漏源电压达到500V，使其能够安全应用于AC-220V整流后的母线电压环境，满足大多数离线式开关电源的设计要求。
　　另一个关键特性是其较高的连续漏极电流能力（13A），结合150W的最大功耗，表明FHP13N50适用于中等功率等级的应用场景，如300W以下的反激式电源、LED恒流驱动电源或小型逆变器。器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为30nC（具体依测试条件而定），这使得驱动电路所需的驱动功率更小，有利于简化驱动设计并提高开关速度，从而进一步降低开关过程中的能量损耗。
　　此外，FHP13N50采用了优化的平面工艺结构，增强了器件的耐压能力和可靠性。其体二极管虽不具备超快恢复特性，但在一般应用中仍可提供基本的续流功能。器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定，防止因电压尖峰导致的永久性损坏。工作结温范围宽达-55℃至+150℃，适应严苛的工作环境，尤其适合工业级应用需求。TO-220封装形式提供了良好的散热路径，配合散热片使用可实现高效热管理。总体而言，FHP13N50以其高性价比、稳定的性能表现和广泛的适用性，成为国产高压MOSFET中的主流选择之一。

FHP13N50广泛应用于各类中高电压功率转换系统中。最典型的应用是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）开关电源中作为主开关管使用，特别是在200W至300W范围内的适配器、充电器和工业电源模块中表现出色。由于其500V的耐压能力和13A的持续电流承载能力，非常适合用于220V交流输入经整流滤波后的直流母线环境中，确保在正常运行及电网波动条件下都能可靠工作。此外，在LED恒流驱动电源中，FHP13N50可用于隔离型或非隔离型拓扑结构中，作为功率开关元件实现高效的能量转换，满足节能与长寿命的要求。
　　在小型逆变器系统中，例如车载逆变器或太阳能微逆变器，FHP13N50可用于H桥或推挽拓扑中的开关单元，完成直流到交流的转换任务。其较快的开关速度和较低的开关损耗有助于提升逆变效率，并减少发热问题。在电机控制领域，尤其是在小功率直流电机或步进电机的驱动电路中，该器件也可作为功率开关使用，适用于风扇、水泵等家电产品的控制模块。
　　此外，FHP13N50还可用于DC-DC升压或降压变换器中，特别是在高压输入环境下，如通信电源、服务器电源辅助电路等场合。其稳定的参数特性和良好的批次一致性，使其在自动化生产线上易于检测和装配。同时，由于其符合RoHS环保标准，适用于出口型电子产品。总之，FHP13N50凭借其高耐压、大电流、低损耗和高可靠性，已成为多种电源拓扑结构中的关键元器件。

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　　 "FQP13N50",
　　 "K13N50",
　　 "AP13N50",
　　 "STP13N50",
　　 "GPH13N50"
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