时间：2025/8/20 21:23:18
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FHP110N8F5 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻、高电流能力和优异的热性能。FHP110N8F5的封装形式通常为TO-220或D2PAK，适用于多种工业和消费类电子产品。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：80V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：110A
导通电阻(Rds(on))：5mΩ（典型值）
功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220 / D2PAK
FHP110N8F5的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力（最高可达110A）使其适用于高功率应用场景，如电源转换器和电机驱动器。
此外，该器件具有优异的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作，并具备良好的散热性能。FHP110N8F5还具备高雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态电压冲击下的可靠性。
该MOSFET的栅极设计具有较高的抗干扰能力，适用于高频开关应用。其封装形式（如TO-220或D2PAK）便于安装和散热管理，适用于各种PCB布局和散热方案。
FHP110N8F5主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关和高功率LED驱动器等场景。
在工业控制领域，它常用于伺服电机驱动、逆变器和UPS系统中，以提供高效率和高可靠性的功率控制。
消费电子方面，该器件适用于高性能电源适配器、充电器以及智能家电中的功率调节模块。
在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车电源系统中，FHP110N8F5也因其高效率和高可靠性而被广泛采用。
SiHF110N8T、FDP110N80、IRF1404、NTMFS4C10N
