时间：2025/8/20 21:24:53
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FHP110N8是一种高性能的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、电机控制和电池管理系统等领域。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，能够提供高效的功率转换性能。FHP110N8通常采用TO-220或DPAK等封装形式，适用于多种工业和消费电子应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：80V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：110A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：约4.5mΩ（典型值）
最大功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220、DPAK（具体取决于制造商）
FHP110N8具有多项优异的电气特性和设计优势。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。其次，高耐压能力（80V）使其适用于多种中高压应用，如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。此外，该MOSFET具有高电流承载能力，连续漏极电流可达110A，适合高功率密度的设计。FHP110N8还具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在高温环境下稳定工作。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。最后，该器件采用标准封装形式，便于安装和散热管理，适用于各种工业和消费类电子产品。
FHP110N8常用于各种需要高效功率管理的电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、逆变器和UPS系统。此外，它也可用于高功率LED驱动器、电源分配系统和工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的电气性能和可靠性，FHP110N8在汽车电子、通信设备和消费电子产品中也有广泛应用。
IRF1404、SiR110N8、NTMFS4C10N、FDMS86101、IPB110N8
