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FHG20005-S06M2W1B 发布时间 时间:2025/12/27 18:25:02 查看 阅读:8

FHG20005-S06M2W1B是一款由Fuji Electric(富士电机)生产的高功率密度、高性能的IGBT模块,属于其第四代或第五代IGBT技术产品线。该模块专为工业驱动、可再生能源系统和电力转换应用设计,具备低导通压降、快速开关速度以及良好的热稳定性。该器件采用先进的沟槽栅场截止(Trench-Field Stop)IGBT技术和优化的二极管结构,能够有效降低开关损耗和传导损耗,从而提升整体系统效率。模块封装形式为标准工业用S型或Mini SKiiP架构,具备良好的散热性能和机械可靠性,适用于紧凑型逆变器和变频器设计。
  FHG20005-S06M2W1B中的型号编码通常代表:额定电压600V,额定电流200A,双单元配置(例如一个IGBT+一个反并联二极管),并带有NTC温度传感器用于过温保护。该模块支持多模块并联使用,并可通过弹簧压接或螺栓固定方式安装于散热器上,适用于风冷或液冷系统。此外,该模块符合RoHS环保标准,广泛应用于伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器及电动汽车充电设备等领域。

参数

型号:FHG20005-S06M2W1B
  制造商:Fuji Electric
  器件类型:IGBT模块
  最大集电极电流(IC):200A
  峰值集电极电流(ICM):400A
  集射极击穿电压(VCEO):600V
  栅射极电压(VGES):±20V
  工作结温范围(Tj):-40°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-40°C 至 +125°C
  开关频率典型值:≤ 50kHz
  导通延迟时间(td(on)):约180ns
  关断延迟时间(td(off)):约500ns
  正向饱和压降(VCE(sat) @ 25°C):约1.7V @ IC=200A
  内部二极管正向压降(VF):约1.6V @ IF=200A
  热阻结到外壳(Rth(j-c)):约0.15°C/W
  封装类型:M2W1B(小型压接式模块)
  通道数:2 in 1(半桥)
  内置NTC:是

特性

FHG20005-S06M2W1B采用了富士电机先进的IGBT芯片工艺,具有优异的开关特性和导通性能。其核心优势在于采用了沟槽栅与场截止层(Trench-FS)结构,这种设计显著降低了电荷载流子在关断过程中的拖尾电流,从而大幅减少了关断损耗,使模块能够在高频下稳定运行。同时,该结构优化了电场分布,提升了耐压能力与短路承受时间,增强了系统的安全裕度。模块内部的IGBT与反并联快速恢复二极管经过精确匹配,确保在硬开关和软开关条件下均能实现高效能量回馈,减少反向恢复尖峰电压,降低EMI干扰。
  该模块还具备出色的热管理能力。其陶瓷基板(通常为氮化铝或氧化铝)提供了优良的绝缘性能和导热性,结合低热阻的焊接工艺和金属底板设计,实现了从芯片到外壳的高效热传导。即使在高负载或瞬态过流工况下,也能维持较低的工作结温,延长器件寿命。此外,集成的NTC热敏电阻可实时监测模块内部温度,配合控制器实现精确的温度保护策略,防止过热损坏。
  机械结构方面,FHG20005-S06M2W1B采用M2W1B小型压接封装,支持无焊接安装,便于自动化装配和后期维护。压接端子设计避免了传统焊接带来的热疲劳问题,提高了长期运行的可靠性。模块绝缘性能良好,可承受高达2500V AC的隔离电压,适用于各种工业环境。整体设计注重电磁兼容性,通过优化内部布线减少寄生电感,提高开关波形质量,降低dv/dt对周边电路的影响。

应用

该IGBT模块广泛应用于中等功率等级的电力电子变换系统。在工业自动化领域,常用于通用变频器和高性能伺服驱动器中,作为主逆变桥的核心开关元件,支持矢量控制和直接转矩控制等先进调速算法,实现电机的精确调速与高动态响应。在可再生能源系统中,FHG20005-S06M2W1B被用于光伏并网逆变器的DC-AC转换级,其低损耗特性有助于提升整机效率,满足高能效认证要求。此外,在不间断电源(UPS)系统中,该模块可在逆变模式下提供纯净的正弦波输出,保障关键负载的供电连续性。
  在电动汽车基础设施方面,该器件可用于交流充电桩或直流快充前端的PFC(功率因数校正)电路与DC-DC变换器中,实现电网侧的高功率因数和低谐波畸变。同时,由于其具备良好的短路耐受能力和温度稳定性,也适合用于工业电源、感应加热设备和电焊机等高可靠性要求的应用场景。模块的小型化设计使其特别适合空间受限但功率密度要求较高的紧凑型电源设备。

替代型号

2MBI200U4B-120
  F4-200R06KL3_B2
  SEMIX200GB126DS
  SKM200GB12T4

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