型号：FHG20003-D04M2W1B
　　制造商：Fuji Electric
　　器件类型：IGBT模块（半桥）
　　集电极-发射极额定电压（Vces）：1200V
　　额定集电极电流（Ic）@25°C：200A
　　额定集电极电流（Ic）@100°C：100A
　　最大结温（Tj）：150°C
　　栅极-发射极电压范围（Vge）：-10V 至 +20V
　　饱和导通电压（Vce(sat)）@Ic=200A, Vge=15V：约2.1V
　　关断能量损耗（Eoff）@测试条件典型值：约4.8mJ
　　反向恢复二极管正向电压（Vf）：约2.3V
　　热阻（Rth(j-c)）：约0.18°C/W
　　封装形式：螺钉型模块（带绝缘底板）
　　通道数：2（半桥配置）
　　内置NTC温度传感器：是

FHG20003-D04M2W1B采用了富士电机先进的第七代IGBT沟槽栅场截止（Trench Gate Field-Stop）技术，显著降低了导通损耗与开关损耗之间的权衡矛盾，实现了更高的能效表现。该模块在1200V电压等级下表现出优异的动态性能，尤其在高频开关应用中，其优化的尾电流控制有效减少了关断过程中的过冲电压和电磁干扰（EMI）。同时，模块内部的载流路径经过精心布局，减小了寄生电感，提升了电流分配的均匀性，从而增强并联使用的可靠性。IGBT芯片与反并联二极管均经过老化筛选和严格测试，确保批次一致性与长期运行稳定性。模块采用高强度陶瓷基板（如氧化铝或氮化硅）作为绝缘层，不仅提供了优良的电气隔离能力（耐压可达数千伏以上），还具备出色的抗热循环能力，可在频繁启停和负载波动的工况下保持结构完整性。此外，模块底部设计为平整金属背板，配合导热硅脂或相变材料可实现高效热传导，延长使用寿命。内置的NTC热敏电阻位于靠近IGBT芯片的敏感区域，能够准确反映实际结温变化，为控制系统提供精准的温度反馈，实现过温保护和智能调频功能。整体封装符合RoHS环保标准，并通过多项国际认证，适用于全球范围内的工业级和部分严苛环境应用。
　　该模块的设计充分考虑了维修性和安装便利性。所有主端子均为螺栓连接方式，支持大截面电缆接入，接触电阻小且连接牢固，适用于高振动环境。控制引脚则采用插接式端子或柔性PCB引出，避免因应力导致的断裂问题。模块外壳材料具有高耐候性和抗紫外线能力，在潮湿、粉尘较多的现场仍可保持良好绝缘性能。此外，富士电机为该系列模块提供了完整的技术支持文档，包括详细的数据手册、应用指南、驱动电路参考设计以及失效模式分析报告，帮助用户快速完成系统集成与调试。对于需要更高功率密度的应用场景，多个FHG20003-D04M2W1B模块还可通过母排方式并联使用，并借助均流电感和门极电阻调节实现电流均衡，进一步拓展其在兆瓦级变频器或风电变流器中的适用范围。

该IGBT模块主要应用于中高功率交流传动系统，例如工业用矢量控制变频器、伺服驱动器和大型泵类电机控制器。在新能源领域，它被广泛用于光伏逆变器的直流到交流转换级，特别是在集中式或组串式逆变器中承担核心开关任务，凭借其低损耗特性可提高整体系统效率，降低运行温升。在风力发电系统中，该模块可用于网侧变流器或机侧整流器单元，参与电能质量调节和电网同步控制。此外，在不间断电源（UPS）、感应加热设备、电焊机电源和轨道交通辅助电源系统中也有广泛应用。由于其具备较高的短路耐受能力和快速保护响应潜力，也适合用于对可靠性要求极高的关键设施供电系统。在电动汽车充电桩方面，尤其是直流快充桩的DC/DC升压或AC/DC整流后级，该模块可用于构建PFC（功率因数校正）电路或双向能量回馈单元，满足高效率与小型化的设计需求。结合合适的驱动电路（如富士推荐的EXB系列或第三方光耦隔离驱动器），可以实现纳秒级的精确门极控制，充分发挥其高频开关优势。在工业自动化产线中，多个此类模块常被组合成完整的三相全桥逆变单元，配合DSP或FPGA控制器实现复杂调制算法，如SVPWM或DPWM，以优化输出波形质量和动态响应速度。

FF200R12KS4