型号：FHF8N65
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　连续漏极电流（Id）：8A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：32A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（max @ Vgs=10V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：1100pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：260pF（@Vds=25V）
　　反向恢复时间（trr）：55ns
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

FHF8N65具备多项关键特性，使其在中高功率开关应用中表现出色。首先，其650V的高漏源击穿电压确保了在高压环境下的安全运行，适合用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）的开关电源设计。其次，该器件的导通电阻在标准测试条件下最大为1.2Ω，这一数值在同类650V器件中处于合理水平，能够有效降低导通状态下的功率损耗，从而减少发热并提升系统效率。同时，FHF8N65采用了优化的栅极结构设计，使得其输入电容和栅极电荷（Qg）相对较低，有助于减少驱动电路的功耗，并支持较高的开关频率操作，典型应用可达数十kHz至数百kHz。这在高频DC-DC变换器和LLC谐振转换器中尤为重要。
　　另一个显著特性是其良好的热稳定性与可靠性。器件的最大功耗为50W，在配备适当散热条件的情况下可长时间稳定工作。其结温范围从-55℃到+150℃，适应各种严苛的工作环境，包括高温工业现场和低温户外设备。此外，FHF8N65具备较强的抗雪崩能力，意味着在遭遇电压瞬变或感性负载关断时，器件能够承受一定程度的能量冲击而不发生永久性损坏，提高了系统的鲁棒性。其反向恢复时间较短（约55ns），配合快速恢复二极管使用时可减小体二极管反向恢复带来的尖峰电压，降低电磁干扰（EMI）。
　　封装方面，TO-220形式不仅提供了良好的电气隔离性能，而且便于安装在散热片上，增强了散热能力。引脚布局符合行业标准，兼容大多数现有PCB设计，降低了替换和升级成本。综合来看，FHF8N65在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是许多中等功率电源设计中的优选器件。

FHF8N65广泛应用于多种电力电子系统中，尤其适用于需要高效、高电压开关能力的场合。最常见的应用领域是开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器、充电器和开放式框架电源，尤其是在输出功率在50W至300W之间的产品中，该器件常作为主开关管使用。在这些应用中，FHF8N65能够在反激式（Flyback）、正激式（Forward）或半桥拓扑结构中实现高效的能量转换。此外，在LED恒流驱动电源中，特别是用于商业照明或户外路灯的大功率LED驱动器，FHF8N65因其高耐压和良好热性能而被广泛采用。
　　在新能源领域，FHF8N65也常见于小型光伏微逆变器和太阳能控制器中，作为DC-AC逆变环节的开关元件之一。其高dv/dt耐受能力和抗雪崩特性有助于应对光照变化引起的电流波动。在家电类产品如变频空调、洗衣机和冰箱的电机驱动模块中，该器件可用于功率因数校正（PFC）升压级，帮助提升整机能效等级。同时，它也可用于UPS不间断电源、电子镇流器以及工业控制电源等设备中。
　　由于其具备较高的脉冲电流承载能力（达32A），FHF8N65还能胜任一些瞬态负载较大的应用场景，例如电动工具电源或电池充电管理系统。总体而言，该器件凭借其可靠的性能和成熟的供应链体系，已成为众多中高端电源设计工程师的常用选型之一。

KFE8N65, FQPF8N65, STP8NK65ZFP, 2SK3569, IRFGB30