时间：2025/12/28 1:01:47
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FHF7N60A是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的高电压、高效率的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及照明镇流器等电力电子领域。该器件采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻和高雪崩能量承受能力，适用于要求高可靠性和稳定性的中高压应用环境。其额定漏源击穿电压为600V，确保在高压系统中具备良好的耐压性能。FHF7N60A封装形式为TO-220或TO-220F，具备良好的散热性能，适合于工业级温度范围工作。该MOSFET的设计优化了动态参数，如输入电容、输出电容及反向传输电容，从而减少了开关损耗，提升了整体系统效率。此外，器件内部无铅设计符合RoHS环保标准，满足现代电子产品对绿色环保的要求。由于其优异的热稳定性和电气特性，FHF7N60A常用于AC-DC电源适配器、光伏逆变器、UPS不间断电源等设备中作为主开关管使用。
型号：FHF7N60A
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）@25°C：7A
脉冲漏极电流（Idm）：28A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：0.95Ω Max
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V, Tj=125°C：1.4Ω Max
阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：1100pF @ Vds=25V
输出电容（Coss）：280pF @ Vds=25V
反向传输电容（Crss）：40pF @ Vds=25V
栅极电荷（Qg）：45nC @ Vgs=10V
体二极管反向恢复时间（Trr）：45ns
最大工作结温（Tj）：150°C
封装形式：TO-220/TO-220F
FHF7N60A具备出色的静态与动态电学特性，使其在中高压功率转换场景中表现出色。其600V的高漏源击穿电压确保在瞬态过压条件下仍能保持稳定运行，有效提升系统的安全裕度。器件的低导通电阻（典型值低于1.0Ω）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体能效。同时，在高温工作环境下，其Rds(on)随温度上升的变化趋势被良好控制，有助于维持系统热稳定性。该MOSFET采用了优化的单元设计，大幅降低了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），从而减少开关过程中的能量损耗，特别适合高频开关应用。此外，较低的反向传输电容（Crss）增强了器件的抗噪声干扰能力，防止因dv/dt过高导致误触发。
器件还具备较强的雪崩能量承受能力，通过了单脉冲和重复脉冲雪崩测试，能够在负载突变或短路等异常工况下提供一定的自我保护能力。内置的快速恢复体二极管具有较短的反向恢复时间（约45ns），可减少反向恢复电流尖峰，降低电磁干扰（EMI）。FHF7N60A支持简单的栅极驱动电路设计，兼容常见的PWM控制器输出信号，简化了系统集成难度。其TO-220封装具有良好的机械强度和散热性能，可通过加装散热片进一步提升功率处理能力。所有材料均符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，适用于消费类、工业类及绿色能源等多种应用场景。
FHF7N60A主要应用于各类中高功率开关模式电源系统中，包括但不限于通用AC-DC适配器、离线式反激变换器、有源功率因数校正（PFC）电路、LED恒流驱动电源以及小型光伏逆变器等。在这些应用中，该MOSFET通常作为主开关管或同步整流管使用，承担能量传递与高频切换任务。其高耐压特性使其能够直接连接整流后的市电母线电压，适用于全球宽电压输入（85V~265V AC）条件下的电源设计。在电机控制领域，FHF7N60A可用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，实现高效正反转与调速控制。此外，在UPS不间断电源、小型焊接电源和电子镇流器中也常见其身影。得益于其良好的热性能和可靠性，该器件可在封闭式或通风不良的环境中长期稳定运行。对于需要紧凑设计和高效率的工业电源模块，FHF7N60A是一个成熟且经济的选择。其参数匹配度高，便于替换同类产品，加快产品开发周期。
STP7NK60ZFP, FQP7N60L, KIA7N60, IRFBC40
