FHF7N60 时间：2025/6/30 11:34:22 阅读：4

FHF7N60是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道增强型结构。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及各类需要高效功率转换的场景。其额定电压为600V，能够承受较高的漏源电压，同时具备较低的导通电阻和快速的开关速度，非常适合于高频功率转换应用。
　　FHF7N60具有优异的雪崩击穿能力和抗静电能力，确保了在恶劣环境下的可靠性。此外，该器件采用了TO-220封装形式，便于散热和安装。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：7A
　　导通电阻：1.8Ω
　　栅极阈值电压：2V~4V
　　功耗：130W
　　工作结温范围：-55℃~150℃

特性

FHF7N60具备以下关键特性：
　　1. 高额定电压（600V），适用于高压应用环境。
　　2. 较低的导通电阻（1.8Ω），有助于减少功率损耗。
　　3. 快速开关速度，适合高频电路设计。
　　4. 优异的雪崩击穿能力，提升了器件在异常情况下的耐受性。
　　5. 抗静电能力较强，提高了产品的可靠性和耐用性。
　　6. TO-220标准封装形式，便于安装和散热。

应用

FHF7N60广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC或DC-DC转换电路中的开关元件。
　　2. 电机驱动：用于控制直流无刷电机或其他类型的电机运行。
　　3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他电力转换设备中作为功率开关使用。
　　4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电保护电路。
　　5. 各类工业自动化设备及消费电子产品中的功率转换部分。