型号：FHF5N60A
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：5A（@TC=25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：20A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤2.2Ω（@VGS=10V, ID=2.5A）
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0V～4.0V
　　输入电容（Ciss）：520pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：110pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：30ns
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

FHF5N60A具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是高击穿电压与低导通电阻的结合，能够在600V高压环境下实现高效的电能转换。该器件的RDS(on)典型值仅为2.2Ω，在同类产品中处于领先水平，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而减少了发热并提高了系统效率。这种低导通损耗特别适用于持续负载较大的应用场景，如AC-DC开关电源中的主开关管或有源钳位电路。同时，由于采用了优化的晶圆工艺，FHF5N60A在高温条件下仍能保持稳定的性能表现，即使在接近150℃的工作结温下也能安全运行，增强了在恶劣环境中的可靠性。
　　另一个重要特性是其良好的开关特性。FHF5N60A具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这使得在高频开关操作中所需的驱动功率更小，缩短了开关过渡时间，有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。这对于提升电源的整体动态响应速度和降低噪声至关重要。此外，该MOSFET具备一定的雪崩能量承受能力，意味着在遭遇突发过压或感性负载突变时，器件能在非重复条件下吸收一定能量而不发生永久性损坏，进一步增强了系统的故障容忍度。
　　从封装角度看，TO-220系列封装提供了优良的散热路径，允许通过外接散热片将热量迅速传导至外部环境，确保长时间高负荷运行下的热管理有效性。引脚排列符合行业标准，便于自动化装配和维修替换。FHF5N60A还内置了体二极管，虽然不是专门用于快速恢复，但在某些拓扑结构（如反激式变换器）中可作为续流路径使用，简化外围电路设计。总体而言，这些特性使FHF5N60A成为一款兼顾性能、可靠性和成本效益的理想选择，尤其适合对空间和效率有较高要求的现代电力电子设备。

FHF5N60A主要应用于各类中等功率等级的开关电源系统中，包括但不限于通用AC-DC适配器、手机充电器、笔记本电脑电源、LED驱动电源以及小型家用电器电源模块。在这些应用中，它常被用作初级侧的主开关元件，负责将整流后的高压直流电进行高频斩波，配合变压器完成能量传递和电压变换。由于其600V的耐压能力足以覆盖大多数市电整流后的峰值电压（约310V~400V），因此非常适合用于全球通用输入电压范围（85VAC~265VAC）的电源设计。
　　此外，该器件也广泛用于DC-DC变换器拓扑结构中，例如升压（Boost）、降压-升压（Buck-Boost）和反激式（Flyback）转换器，尤其是在需要高效能和紧凑设计的工业控制系统和嵌入式电源单元中。在电机驱动领域，FHF5N60A可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关使用，实现精确的速度和方向控制。其快速开关能力和较低的导通压降有助于减少电机驱动过程中的能量浪费，延长电池供电设备的工作时间。
　　在照明系统方面，FHF5N60A可用于电子镇流器或高强度气体放电灯（HID）驱动电路，提供稳定可靠的高频开关功能。同时，由于其具备一定的抗浪涌和过压能力，也可用于太阳能微逆变器、UPS不间断电源等新能源和备用电源系统中，作为关键的功率切换元件。总之，FHF5N60A凭借其高耐压、低损耗和良好热性能，已成为众多电力电子设计工程师在中等功率段首选的MOSFET之一。

FQP5N60A
　　KSP5N60A
　　STP5NK60ZFP
　　2SK3562
　　IPD5N60E
　　TKP5N60U