FHF4N65 时间：2025/7/7 15:43:02 阅读：16

FHF4N65是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用N沟道增强型技术。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高频开关的场景中。其高击穿电压和低导通电阻使其成为功率转换应用的理想选择。
　　FHF4N65的主要特点是能够在较高的电压下工作，同时保持较低的导通损耗和开关损耗，这使得它在效率和可靠性方面表现出色。

参数

最大漏源电压：650V
　　连续漏极电流：4.3A
　　栅极阈值电压：2V~4V
　　导通电阻（典型值）：1.8Ω
　　总栅极电荷：17nC
　　功耗：19W
　　工作温度范围：-55℃~150℃

特性

1. 高击穿电压，能够承受高达650V的工作电压，适合高压环境下的应用。
　　2. 低导通电阻，在额定电流条件下可显著降低导通损耗。
　　3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗并提高整体效率。
　　4. 小型封装设计（通常为TO-220或DPAK），便于布局和散热管理。
　　5. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持性能稳定。
　　6. 符合RoHS标准，环保且适用于多种工业及消费类电子产品。

应用

FHF4N65适用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS），包括AC-DC和DC-DC转换器。
　　2. 电机驱动，特别是小型直流电机和步进电机控制。
　　3. 逆变器电路，用于太阳能发电系统或其他能量转换设备。
　　4. 电池保护电路，防止过充或过放现象发生。
　　5. PFC（功率因数校正）电路，提升系统的功率因数表现。
　　6. 各种需要高频开关操作的工业电子设备。