时间：2025/7/10 20:11:41
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FHF2N60是一种N沟道增强型功率MOSFET（场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等需要高效功率控制的场景。该器件采用TO-252/DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提升系统效率。
作为一款高压MOSFET，FHF2N60的工作电压高达600V，适用于高电压环境下的各种电路设计。其优异的电气性能和可靠性使得它成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：1.8A
导通电阻（Rds(on)）：4.5Ω（典型值，Vgs=10V）
总功耗：1.1W
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，最大漏源电压达600V，适合高压应用。
2. 低导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V时仅为4.5Ω，有助于减少导通损耗。
3. 快速开关特性，具备较低的输入电容和输出电荷，提升工作效率。
4. 小型表面贴装（SMD）封装形式（TO-252/DPAK），节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子制造要求。
6. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的耐用性。
1. 开关电源（SMPS）中的初级侧开关。
2. DC-DC转换器及降压/升压电路。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的高效功率控制单元。
IRF640N, FQA6N60C, STP6NK60Z
