FHF10N65 时间：2025/12/28 0:39:40 阅读：17

FHF10N65是一款由Force Electronics（劲力士电子）推出的高压超结MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、AC-DC适配器以及LED照明驱动等高效率功率转换场合。该器件采用先进的超结（Super Junction）技术，能够在保持低导通电阻的同时实现高达650V的漏源击穿电压，从而显著提升系统在高频开关条件下的能效表现。FHF10N65属于N沟道增强型MOSFET，具有快速开关特性，适合现代绿色能源和节能设备对高功率密度与低损耗的需求。其封装形式通常为TO-220或TO-220F，具备良好的热稳定性和机械可靠性，适用于工业级工作环境。此外，该器件通过了RoHS环保认证，符合无铅焊接工艺要求，适合自动化贴装生产线使用。作为一款性价比优异的中功率MOSFET，FHF10N65在国内电源市场中被广泛应用，尤其在反激式（Flyback）和LLC谐振拓扑结构中表现出色。

参数

型号：FHF10N65
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：10A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：40A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.75Ω（@Vgs=10V），最大值0.95Ω（@Vgs=10V）
　　阈值电压（Vth）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值1100pF（@Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：典型值380pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值35ns
　　体二极管反向耐压（Vsd）：650V
　　最大功耗（Pd）：125W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220/TO-220F

特性

FHF10N65的核心优势在于其采用的超结（Super Junction）结构设计，这一技术通过在漂移区交替掺杂P型和N型柱状区域，打破了传统MOSFET中导通电阻与击穿电压之间的折衷关系，实现了在650V高耐压下仍具备较低的导通电阻（Rds(on)）。这使得器件在高电压应用中能够有效降低导通损耗，提高整体系统效率。尤其是在轻载和满载条件下，FHF10N65均能维持较高的能效水平，满足能源之星（Energy Star）及欧盟CoC Tier 2等能效标准的要求。
　　该器件具备优异的开关性能，得益于优化的栅极结构设计，其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）控制在合理范围内，减少了开关过程中的充放电能量损耗，从而支持更高的开关频率运行。这对于减小磁性元件体积、提升电源功率密度至关重要。同时，较短的反向恢复时间（trr）降低了体二极管在硬开关电路中的反向恢复电荷，有助于减少电磁干扰（EMI）并防止因电流尖峰引起的二次击穿问题。
　　FHF10N65还具备良好的热稳定性与可靠性。其内部芯片通过金线绑定连接至引脚，确保长期高温工作下的连接牢固性；而TO-220封装提供了较大的散热面积，便于安装散热片以增强热传导能力。器件的最大功耗可达125W，在自然对流冷却条件下可支持较高负载运行。此外，FHF10N65具有较强的抗雪崩能力和静电放电（ESD）防护能力，提升了在异常工况下的鲁棒性。所有这些特性使其成为中小功率开关电源中理想的主开关器件选择。

应用

FHF10N65主要应用于各类中低功率开关模式电源系统中，特别是在需要高效率和高可靠性的场景下表现突出。常见应用包括：65W以下的手机、笔记本电脑充电器（AC-DC适配器）、LED恒流驱动电源、电视机与显示器的内置电源模块、小型UPS不间断电源、电动工具电池充电器以及工业控制电源单元。在反激式（Flyback）拓扑中，FHF10N65常作为初级侧的主开关管，负责将输入交流电整流后的直流电压进行高频斩波，配合变压器实现电压变换与电气隔离。由于其650V的耐压等级适配全球通用输入电压范围（85V~265V AC），因此无需额外降额即可安全运行。
　　在LLC谐振半桥或全桥拓扑中，FHF10N65也可用于构建软开关结构，利用其快速开关特性减少开通与关断损耗，进一步提升系统效率至90%以上。此外，在DC-DC升压或降压转换器中，如PFC（功率因数校正）前级电路，FHF10N65可作为有源开关参与Boost架构，帮助实现接近1的功率因数，降低电网谐波污染，符合IEC 61000-3-2等电磁兼容标准。该器件也适用于太阳能微型逆变器、智能电表电源模块等新兴领域，凭借其稳定的性能和成熟的供应链体系，已成为国内众多电源厂商的主流选型之一。