时间：2025/12/28 1:01:25
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FHD56-ME是一款由Fuji Electric（富士电机）生产的高性能IGBT模块，广泛应用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、逆变器以及各类电力转换系统中。该模块属于第六代U系列IGBT技术，结合了优化的沟槽栅场截止（Trench FS）IGBT芯片和软恢复二极管技术，实现了低导通损耗与开关损耗之间的良好平衡。FHD56-ME采用紧凑型双管封装（Half-Bridge），适用于三相逆变桥中的一个桥臂或单相逆变拓扑结构。其封装形式具备良好的热性能和电气绝缘能力，支持直接安装于散热器上，适合在较高环境温度下稳定运行。模块内部集成了NTC温度传感器，可用于实时监测模块结温，提升系统的可靠性与保护能力。此外，FHD56-ME符合RoHS环保标准，并通过了多项国际安全认证，适用于全球范围内的工业设备设计。
型号：FHD56-ME
制造商：Fuji Electric
器件类型：IGBT模块（半桥）
最大集电极电流（IC）：50A
峰值集电极电流（ICM）：100A
集射极饱和电压（VCE(sat)）：2.1V @ IC=50A, VGE=15V
反向恢复电压（VR）：600V
最大阻断电压（VCES）：600V
工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
存储温度范围（Tstg）：-40°C 至 +125°C
隔离电压（Viso）：2500VAC/分钟
热阻（Rth(j-c)）：0.35°C/W（每个IGBT）
门极阈值电压（VGE(th)）：5.0V ~ 7.0V
输入电容（Cies）：4500pF @ VCE=25V, f=1MHz
封装类型：MiniSKiiP，螺钉端子
内置NTC：是
FHD56-ME采用了富士电机第六代IGBT芯片技术，该技术基于先进的沟槽栅与场截止层设计，显著降低了通态压降和开关过程中的能量损耗。这种结构优化使得模块在高频开关应用中仍能保持较高的效率，尤其适合PWM调制频率较高的变频器系统。IGBT的正温度系数特性便于并联使用时实现电流均衡，提升了系统扩展性。
模块内部集成的快速软恢复二极管具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复电流尖峰，有效减少了换流过程中的电磁干扰（EMI）和电压过冲现象，提高了系统整体的电磁兼容性。同时，软恢复特性也有助于降低对驱动电路的压力，延长外围元件寿命。
FHD56-ME采用MiniSKiiP封装技术，具有体积小、重量轻、安装简便的优点。该封装采用压接式连接方式，无需焊接，提高了装配效率和长期运行的机械稳定性。绝缘基板采用高导热陶瓷材料，确保良好的热传导性能，有助于将芯片热量迅速传递至散热器，防止局部过热。
模块内置负温度系数（NTC）热敏电阻，通常阻值为10kΩ @ 25°C，用于实时监控IGBT芯片的工作温度。通过外接信号调理电路，控制系统可据此实施过温保护、降额运行等安全策略，极大增强了系统的可靠性和安全性。
此外，FHD56-ME具备优异的抗湿热和防尘性能，适合在恶劣工业环境中长期运行。其绝缘系统经过严格测试，能够承受2500VAC的隔离电压，满足IEC 60747-7等国际标准要求，适用于需要电气隔离的安全关键场合。
FHD56-ME广泛应用于各类中等功率的电力电子变换装置中。在通用交流变频器领域，它常被用于驱动3kW至15kW范围内的三相异步电机，适用于风机、水泵、传送带等工业自动化设备。由于其高效的开关特性和良好的热管理能力，该模块也常见于不间断电源（UPS）系统中的DC/AC逆变级，支持纯净正弦波输出，保障敏感负载的稳定供电。
在太阳能光伏逆变器中，FHD56-ME可用于单相或小型三相并网逆变器的主功率转换单元，实现直流侧电能到交流电网的高效转换。其低损耗特性有助于提高整机能效，满足Tier 1及以上能效标准。同时，模块的软恢复二极管可有效抑制漏电流，提升系统安全性。
该模块还适用于感应加热设备、电焊机电源、伺服驱动器及电动汽车车载充电机（OBC）等场景。在这些应用中，FHD56-ME凭借其高可靠性、紧凑尺寸和成熟的驱动接口设计，成为工程师优选的功率模块之一。
此外，在储能系统（ESS）和微型电网的能量转换系统中，FHD56-ME可用于双向DC-AC变换器，支持能量回馈与孤岛运行模式切换，适应复杂电网环境下的灵活控制需求。其宽温区工作能力和快速响应特性，使其在动态负载变化条件下依然保持稳定输出。
SEMIKRON SKM50GB063D
