时间：2025/5/22 18:23:59
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FHD4N60是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等需要高效开关和低导通损耗的场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，从而提高了整体效率并降低了功耗。
其额定电压为600V，适用于高压环境下的应用，同时具备良好的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工作条件下保持稳定的性能。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：4.3A
导通电阻（典型值）：1.6Ω
栅极电荷：18nC
开关时间：开启延迟时间25ns，上升时间15ns，关断延迟时间30ns，下降时间15ns
结温范围：-55℃至+150℃
1. 高击穿电压：600V的漏源电压使其适合用于高电压应用场景。
2. 低导通电阻：典型值为1.6Ω，在同级别产品中表现优异，能够有效降低传导损耗。
3. 快速开关能力：较小的栅极电荷和快速的开关时间，有助于减少开关损耗并提高工作效率。
4. 良好的热稳定性：即使在高温环境下也能保持可靠的性能。
5. 紧凑封装：通常采用TO-220或DPAK封装，便于散热设计和PCB布局。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动
5. PFC（功率因数校正）电路
6. 各类工业控制设备中的功率管理模块
IRF640, FDP078N60, STP4NB60
