时间：2025/12/24 9:10:58
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FHD2N60 是一款 N 沩道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件具有高电压耐受能力（600V）和低导通电阻的特点，能够满足高效率、高性能的电路设计需求。
它采用了先进的制造工艺，确保了较低的栅极电荷和快速的开关速度，从而减少开关损耗并提高整体系统效率。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：2A
导通电阻（Rds(on)）：4.5Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：30nC（典型值）
输入电容：940pF（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
1. 高电压耐受能力（600V），适用于多种高压应用环境。
2. 导通电阻低至 4.5Ω（典型值），显著降低导通损耗。
3. 栅极电荷较小（30nC 典型值），有助于实现更快的开关速度。
4. 输入电容适中（940pF 典型值），可平衡开关性能与驱动需求。
5. 工作温度范围宽广（-55℃ 至 +150℃），适应极端环境条件。
6. TO-220 封装，便于散热设计和安装操作。
1. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. 逆变器和转换器中的关键功率控制元件。
4. 各类工业控制设备中的负载开关。
5. 能量回收系统中的功率管理元件。
6. LED 照明驱动中的高效开关组件。
1. IRF840：同样是 500V 的 N 沤道 MOSFET，但其导通电阻较高，适合对效率要求不高的场合。
2. STP2N60KF：STMicroelectronics 生产的同类产品，具有类似的电气特性和封装形式。
3. FQP2N60：Fairchild 半导体推出的增强版产品，具备更低的导通电阻和更小的栅极电荷。
4. MTP2N60E：另一种可替代的选择，适用于更高频率的应用场景。
5. BUZ11：虽然电压等级略低，但在某些应用中可以作为备选方案。
