FHD181-ME是一款高性能的霍尔效应传感器芯片,专为汽车和工业应用设计。该芯片采用CMOS技术制造,具有低功耗和高灵敏度的特点,能够提供稳定的数字输出信号。它内置了温度补偿电路,可在宽温范围内保持性能稳定。
该器件适用于检测磁场强度的变化,广泛用于速度、位置和电流的测量。其封装形式为SOT-23,便于表面贴装,适合自动化生产。
供电电压:3.8V~30V
工作温度范围:-40℃~150℃
输出类型:开漏极
磁灵敏度:-170Gauss~+170Gauss
响应时间:10μs
静态电流:9mA
FHD181-ME具有多种优点,使其在众多应用中表现出色。首先,它的宽供电电压范围允许其兼容多种电源系统,无论是汽车电池还是工业设备电源都能适用。
其次,该芯片的高温稳定性非常突出,能够在极端温度条件下持续运行,这对于需要在恶劣环境下工作的设备尤为重要。
此外,快速的响应时间和低噪声设计确保了精确的信号检测能力。内置诊断功能进一步增强了系统的可靠性,可有效预防因故障导致的误操作。
FHD181-ME还具备短路保护和反向电压保护功能,增加了整体的安全性和耐用性。
FHD181-ME主要应用于汽车电子领域,如发动机管理、变速器控制以及防抱死制动系统(ABS)等关键部位的速度和位置传感。
在工业自动化中,它可以用于无刷直流电机换向、液位检测和接近开关等功能。
同时,由于其对磁场变化敏感,还可以用作电流传感器,在电力监测和保护电路中发挥重要作用。
FHD181-HB, FHD181-LP