时间：2025/9/4 21:09:32
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FH75-40S-0.5SH(99) 是一种高压、大电流、高频功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和快速开关性能的电源转换系统。该器件采用先进的沟槽式MOS技术，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。FH75-40S-0.5SH(99) 通常应用于DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制以及各种高功率电子设备中。
漏源电压(Vds)：400V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：75A
导通电阻(Rds(on))：0.5Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
功率耗散(Pd)：300W
FH75-40S-0.5SH(99) MOSFET具有多个显著的技术特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）为0.5Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统的能效。其次，该器件具备高达400V的漏源击穿电压，能够承受较高的电压应力，适用于高电压输入环境。
此外，该MOSFET的最大漏极电流可达75A，支持大功率输出需求，适合用于高电流负载的应用场景。其TO-247封装形式具备良好的散热性能，有助于在高功率运行时保持稳定的温度控制。
该器件还具有快速开关能力，适用于高频开关电源设计，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高电源系统的功率密度。内置的雪崩能量保护功能增强了器件的可靠性和抗过载能力，从而延长了其使用寿命。
此外，FH75-40S-0.5SH(99) 具备良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于工业级和汽车电子等严苛工作环境。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，便于系统集成。
FH75-40S-0.5SH(99) 主要应用于各种高功率、高频率的电力电子系统中，例如AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、同步整流器、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动器和不间断电源（UPS）系统等。在电动汽车（EV）充电设备和太阳能逆变器中，该MOSFET也常用于主功率开关，以实现高效的能量转换。
由于其高耐压和大电流能力，FH75-40S-0.5SH(99) 还广泛用于工业自动化设备、电源管理模块、LED驱动电源以及高功率LED照明系统中。在这些应用中，该器件能够提供稳定的功率输出，同时减少能量损耗，提高整体系统的效率和可靠性。
此外，该MOSFET适用于需要快速开关和高效率的谐振变换器、ZVS（零电压开关）和ZCS（零电流开关）拓扑结构中，有助于提升系统的开关频率并减小变压器和滤波器的体积。
IXFH75N40Q、IRF75N40D、STF75N40D2、FQA75N40、FGL75N40
