时间：2025/5/23 14:09:44
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FH20X103K302EGG 是一款由富士通（Fujitsu）生产的铁电随机存取存储器（FeRAM），即非易失性存储器的一种。该芯片结合了传统 RAM 的高速读写性能和闪存的非易失性特性，能够在断电后保存数据。
FeRAM 技术使用铁电材料作为电容器的介质层，从而实现低功耗、高速度和高耐久性的数据存储功能。FH20X103K302EGG 通常被应用于需要频繁数据写入且对数据保留有较高要求的场景。
容量：256Kb (32K x 8)
接口类型：SPI
工作电压：1.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：WLCSP (晶圆级芯片尺寸封装)
引脚数：8
数据保留时间：超过10年
擦写周期：超过10^12 次
FH20X103K302EGG 具备以下主要特性：
1. 非易失性：即使在断电情况下也能保持数据完整。
2. 超低功耗：相较于 EEPROM 和闪存，其写入操作所需的能量显著减少。
3. 高速读写：支持高达 20MHz 的 SPI 接口时钟频率，确保快速数据传输。
4. 极高的耐用性：可承受超过一万亿次的擦写周期，非常适合频繁数据更新的应用场景。
5. 小型化封装：采用 WLCSP 封装技术，适合空间受限的设计需求。
6. 宽工作电压范围：支持从 1.7V 到 3.6V 的宽电压范围，提升了应用灵活性。
7. 环保材料：符合 RoHS 标准，不含铅等有害物质。
FH20X103K302EGG 广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化设备中的数据记录与配置存储。
2. 医疗设备中关键参数的实时保存。
3. 物联网终端的数据缓存与日志记录。
4. 消费电子产品的固件升级与用户偏好设置存储。
5. 计量仪表中用于累积数据的持久存储。
6. 汽车电子系统中传感器数据的临时或永久保存。
MB85RS2MT-SQE, FM25L16B-BNE, CAT24C02-GJ
