类型：小信号开关二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：100V
　　最大均方根电压（VRMS）：70V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　最大正向整流电流（IF）：150mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：500mA
　　最大反向漏电流（IR）：5μA（在额定VR下）
　　正向电压降（VF）：1.0V（典型值，@ IF = 10mA）
　　反向恢复时间（trr）：4ns（典型值）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-323
　　安装方式：表面贴装（SMT）
　　符合标准：RoHS合规，无卤素

FH1N4148WS-EE具备优异的高频开关性能，其核心优势在于极短的反向恢复时间，典型值仅为4ns，这使得它能够在高频数字电路中迅速响应电压极性变化，有效减少开关损耗并提高系统效率。这一特性使其特别适用于高速数据线路中的信号整形与隔离、脉冲电路中的快速切换以及各种逻辑门电路中的电平钳位应用。该器件采用成熟的硅PN结工艺制造，确保了稳定的电气特性和良好的温度适应性。在宽达-65°C至+150°C的工作结温范围内，其关键参数如反向漏电流和正向压降的变化较小，保证了在恶劣环境下的可靠性。此外，其最大重复反向电压可达100V，能够承受较高的反向电压应力，适用于多种电源管理与保护电路。
　　FH1N4148WS-EE的SOD-323封装不仅体积小巧，有助于节省宝贵的PCB空间，而且具有良好的热传导性能和机械稳定性，适合回流焊和波峰焊等多种SMT工艺。该封装结构还降低了寄生电感和电容，进一步提升了高频性能。器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置（HIRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环等，确保长期使用的稳定性。作为标准1N4148系列的表贴版本，FH1N4148WS-EE在引脚功能、电气参数和应用场景上与同类产品高度兼容，便于设计替换和批量生产。其无铅设计和符合RoHS指令的特点，满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求，广泛应用于工业控制、消费电子、通信模块和汽车电子等领域。

FH1N4148WS-EE广泛应用于需要高速开关和信号处理功能的电子电路中。典型应用场景包括数字逻辑电路中的输入/输出保护，防止过压或反接损坏敏感元件；在微控制器、FPGA和ASIC的GPIO端口处用作钳位二极管，将电压限制在安全范围内。它也常用于高频信号路径中的整流与检波，例如在射频识别（RFID）、无线传感网络和通信接口（如I2C、SPI总线）中实现信号调理。由于其快速响应能力，该二极管可用于脉冲宽度调制（PWM）电路、开关电源反馈回路以及继电器驱动电路中的反电动势吸收，抑制电感负载断开时产生的电压尖峰，从而保护驱动晶体管。
　　在消费类电子产品中，FH1N4148WS-EE常见于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和智能家居控制器中，用于电池充电管理、按键去抖、LED驱动保护和传感器接口电路。其小型化封装特别适合空间受限的便携设备。在工业自动化领域，该器件被用于PLC模块、传感器信号调理板和电机控制单元中，提供可靠的信号隔离与瞬态抑制功能。此外，在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和ADAS传感器接口中，FH1N4148WS-EE也能发挥其高可靠性和温度稳定性的优势。由于其成本低、性能稳定且易于获取，该二极管已成为许多电子设计中的标准组件之一。

MMBD1N4148LT1G
　　BAV99W
　　1N4148WS
　　SOD323-1N4148