FGZ50N65WE 时间：2025/8/8 21:06:57 阅读：11

FGZ50N65WE 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的高电压、大电流功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率、高频率的开关应用。该器件采用先进的平面栅极技术，具备良好的导通特性和较低的开关损耗。FGZ50N65WE 的最大漏极-源极电压（VDS）为650V，最大漏极电流（ID）为50A，适用于需要高功率密度和高可靠性的工业电源、逆变器和马达控制应用。

参数

漏极-源极电压（VDS）：650V
　　漏极-栅极电压（VDGR）：650V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　最大漏极电流（ID）：50A（TC=25°C）
　　连续漏极电流（ID@TC=100°C）：35A
　　漏极功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RthJC）：1.0°C/W
　　导通电阻（RDS(on)）：0.16Ω（典型值，VGS=10V）

特性

FGZ50N65WE 具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其导通电阻（RDS(on)）非常低，典型值为0.16Ω，这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力，确保在异常工作条件下仍能保持稳定运行。
　　其次，该器件采用高级平面栅极结构，提供了良好的栅极控制能力，减少了开关损耗，并提高了高频操作的稳定性。其栅极电荷（Qg）相对较低，支持更快的开关速度，从而减少了动态损耗。
　　FGZ50N65WE 还具备优良的热性能，热阻（RthJC）仅为1.0°C/W，能够有效散热，延长器件使用寿命。此外，其封装设计优化了电流分布，降低了寄生电感，从而提升了整体系统的稳定性和可靠性。
　　最后，该MOSFET符合RoHS环保标准，采用无铅封装，适用于现代环保电子产品。

应用

FGZ50N65WE 适用于多种高功率电子设备，包括工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、马达驱动器和电动车充电器等。在这些应用中，FGZ50N65WE 的低导通电阻和高效开关特性能够显著提升系统效率，同时减少散热需求，有助于实现更紧凑的系统设计。此外，该器件也广泛应用于高功率DC-DC转换器和PFC（功率因数校正）电路中，提供可靠的功率控制和高能效表现。