时间：2025/8/9 16:22:10
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FGW75XS65C 是一款由富士电机（Fuji Electric）推出的功率半导体模块，属于SiC（碳化硅）功率模块系列。该模块基于碳化硅半导体技术，具备高效率、高频工作能力和低开关损耗等优点，适用于对能效和功率密度要求较高的电力电子系统。
类型：SiC功率模块
最大集电极-发射极电压（VCES）：6500V
最大集电极电流（IC）：75A
封装形式：双列直插式封装（Dual Inline Package, DiP）
工作温度范围：-40°C 至 +175°C
封装尺寸：符合工业标准的75mm x 120mm模块
热阻（Rth）：约0.35 K/W
最大开关频率：150kHz以上
FGW75XS65C 采用先进的SiC MOSFET技术，具备出色的导通和开关性能。该模块的导通压降低，可减少导通损耗，同时具备极低的开关损耗，适用于高频率开关应用。此外，该模块具有良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定运行。
该模块的封装设计优化了电磁干扰（EMI）性能，降低了寄生电感，从而提高了系统的可靠性。模块内部采用了先进的封装材料和工艺，确保在高dv/dt环境下仍能保持稳定工作。
FGW75XS65C 支持多种拓扑结构，如半桥、全桥、T型中性点钳位（NPC）等，适用于各种复杂功率变换器设计。其高可靠性和长寿命使其成为工业、能源和交通等关键应用的理想选择。
FGW75XS65C 常用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统，如可再生能源系统（太阳能逆变器、风力发电变流器）、电动汽车充电系统、工业电机驱动（如伺服驱动器、变频器）、轨道交通牵引系统以及智能电网设备。该模块的高频工作能力使其特别适合用于需要减小磁性元件体积和提高系统效率的应用场景。
FGW75XSA65C, FGW75XSA65C, FF650R12ME4_B11
