FGW75XS65 时间：2025/8/8 22:49:08 阅读：26

FGW75XS65是一款高功率密度的碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET），由英飞凌科技公司（Infineon Technologies）制造。这款器件专为高频率、高效率的电力电子应用设计，例如电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器、储能系统和工业电源。FGW75XS65具有低导通电阻、高击穿电压以及优异的热性能，使其在高温和高电压条件下依然保持稳定的性能。该器件采用表面贴装的封装形式，便于在高密度PCB设计中使用。

参数

器件类型：SiC MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）：75A
　　导通电阻（RDS(on)）：23mΩ
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：Surface Mount (PG-HSOF-8)
　　栅极电荷（Qg）：80nC
　　短路耐受能力：600V/75A

特性

FGW75XS65具有多项优异的电气和热性能，使其在高性能功率转换系统中表现出色。
　　首先，该器件采用了先进的碳化硅半导体技术，显著降低了开关损耗和导通损耗，从而提高了整体系统效率。其低导通电阻（23mΩ）确保了在大电流条件下的低功率损耗，适用于高效率的DC-DC转换器和逆变器设计。
　　其次，FGW75XS65具备优异的高温稳定性。碳化硅材料的宽禁带特性使得该MOSFET在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，从而减少了对复杂散热系统的依赖，降低了系统成本和体积。
　　此外，该器件具有较高的短路耐受能力，能够在极端工况下提供可靠的保护。其快速开关特性有助于提高系统的工作频率，从而减少磁性元件的体积和重量，适用于高频功率转换器设计。
　　FGW75XS65还具备良好的封装设计，采用表面贴装的PG-HSOF-8封装，便于自动化生产和高密度PCB布局，提升了整体系统的可靠性和可制造性。

应用

FGW75XS65广泛适用于各种高功率密度和高效率的电力电子系统。在电动汽车领域，该器件常用于车载充电器（OBC）和DC-DC转换器，以提高充电效率并减少热损耗。在可再生能源领域，FGW75XS65被广泛应用于太阳能逆变器和储能系统，支持更高的转换效率和更紧凑的设计。此外，该器件也适用于工业电源、服务器电源、5G通信电源和高频感应加热系统等需要高效率和高功率密度的应用场景。其优异的性能使其成为替代传统硅基MOSFET和IGBT的理想选择，特别是在需要高频、高效率和高温稳定性的应用中。