FGW75XS120 时间：2025/8/8 21:37:05 阅读：33

FGW75XS120是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的SiC（碳化硅）功率模块，属于高功率密度、高性能的半导体器件。该模块基于碳化硅材料，具备优异的热导率和高温工作能力，适用于高效率、高频工作的电力电子系统。FGW75XS120通常采用模块化封装，内置多个SiC MOSFET或SiC肖特基二极管，具有较低的导通损耗和开关损耗。

参数

类型：SiC功率模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：75A
　　封装形式：双列直插式（Dual-Inline）
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　热阻（Rth）：约0.35°C/W（典型值）
　　短路耐受能力：600A，10μs
　　栅极驱动电压：+20V/-5V
　　导通压降：约1.5V（典型值）

特性

FGW75XS120模块采用碳化硅（SiC）技术，具有显著的性能优势。其导通压降较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。同时，SiC材料的宽禁带特性使其能够在高频条件下稳定工作，适用于高开关频率的应用场景。该模块的热导率高，热管理性能优越，能够在高温环境下长时间运行而不会显著降低性能。此外，模块内置的SiC MOSFET具备良好的短路耐受能力，提升了系统的可靠性和稳定性。FGW75XS120还具有较小的封装体积，便于集成到紧凑型电力电子系统中，同时提供良好的机械强度和抗振动能力。其封装材料具备良好的绝缘性能，确保在高电压工作条件下具备足够的安全性。另外，该模块的栅极驱动电路设计灵活，适用于多种驱动方案，便于用户根据应用需求进行优化配置。

应用

FGW75XS120广泛应用于高效能电力电子系统，如新能源汽车的逆变器系统、车载充电器（OBC）、直流-直流变换器（DC-DC Converter）、工业电机驱动器、太阳能逆变器以及储能系统。由于其具备高频工作能力和高效率特性，特别适用于需要高功率密度和高可靠性的场合。例如，在新能源汽车领域，该模块可显著提高电机驱动系统的能效，延长车辆续航里程；在工业应用中，可用于构建高效率的变频器和伺服驱动器，提升设备整体性能。