时间：2025/12/29 16:57:27
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FGW75N60H 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的高功率 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，主要用于高功率应用，如电机驱动、逆变器、电源转换器等。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降的优点，适用于中高功率场合。FGW75N60H 的最大集电极电流为 75A，最大集电极-发射极电压为 600V。
类型：N沟道 IGBT
最大集电极电流（Ic）：75A
最大集电极-发射极电压（Vce）：600V
最大栅极-发射极电压（Vge）：±20V
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装形式：TO-247 或类似高功率封装
短路耐受能力：有
导通压降（Vce_sat）：约 2.1V（典型值，Ic=75A）
FGW75N60H 采用了先进的沟道型 IGBT 技术，具有较低的导通压降和开关损耗，这使得它在高频开关应用中表现出色。该器件的短路耐受能力使其在高可靠性系统中更具优势。此外，其栅极驱动电压范围较宽（通常为 -10V 至 +15V），适应性强，并具有良好的热稳定性。
该 IGBT 的芯片结构优化了载流子分布，提高了电流密度和热导率，从而提升了整体效率。同时，其封装设计考虑了散热性能，适用于大功率逆变器、变频器以及工业电机控制系统等高要求场合。
FGW75N60H 的另一个显著特点是其出色的短路保护能力，能够在极端工况下提供可靠的保护机制，防止器件因过流或短路而损坏。这种特性使其特别适用于需要频繁启动和停止的工业设备，如伺服电机驱动器和变频器。
此外，FGW75N60H 的封装设计也考虑了机械强度和绝缘性能，确保在恶劣环境中仍能稳定运行。其高绝缘耐压能力（如 TO-247 封装下通常可达 2500V 以上）使其适用于工业级电源系统。
FGW75N60H 主要应用于工业电源系统、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、电焊机、电磁加热设备、电动车辆充电系统等领域。其高功率处理能力和可靠性使其成为工业自动化、能源转换和电动交通系统中的关键组件。
FGW75N60SFD, FGH75N60SFD, FGW75N60HFD
