时间：2025/8/8 23:55:05
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FGW60N65WD是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于高电压和高电流的电力电子系统中。该器件采用了先进的平面型硅技术，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于如电源转换、马达控制、工业自动化等高可靠性场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：650V
最大漏极电流（ID）：60A
导通电阻（RDS(on)）：约0.17Ω（典型值）
最大工作温度：150℃
封装类型：TO-247
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：约1800pF
反向恢复时间（trr）：超快恢复二极管特性
FGW60N65WD的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。其650V的高耐压能力使其适用于多种高电压应用，如AC-DC转换器、DC-DC转换器以及电机驱动系统。该器件的封装设计（TO-247）具有良好的散热性能，确保在高负载条件下的稳定运行。
此外，FGW60N65WD具有快速开关特性，减少了开关损耗，这对于高频开关应用非常重要。该器件的栅极驱动要求较低，能够在较宽的栅极电压范围内稳定工作。同时，内置的超快恢复二极管特性使其在反向恢复过程中表现出色，减少了反向恢复损耗和电磁干扰（EMI）。
FGW60N65WD广泛应用于多种高功率和高电压的电子系统中，包括工业电源、开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）以及各种电力转换设备。由于其优异的开关性能和高耐压能力，该器件也非常适合用于太阳能逆变器和电动车充电设备等新兴领域。
FGW60N65WFD、FGW60N65SND、FGW60N65SBD
