FGW50XS65C 时间：2025/8/9 14:09:27 阅读：32

FGW50XS65C 是一款由富士电机（Fuji Electric）推出的功率半导体模块，属于其SiC（碳化硅）功率模块产品线。该模块集成了两个SiC MOSFET芯片，采用双路半桥拓扑结构，适用于高频率、高效率的功率转换应用。FGW50XS65C具有低导通损耗和开关损耗，支持高温工作环境，适用于电动汽车（EV）充电系统、光伏逆变器、储能系统以及工业电源设备。

参数

类型：SiC MOSFET模块
　　拓扑结构：半桥双路
　　最大漏极电流：50 A
　　最大漏源电压：650 V
　　导通电阻（典型值）：35 mΩ
　　工作温度范围：-40°C 至 175°C
　　封装类型：双列直插式（Dual Inline）
　　引脚数：7
　　热阻（Rth）：0.38 K/W

特性

FGW50XS65C 模块采用了富士电机先进的碳化硅技术，具有优异的电热性能。其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　该模块的半桥结构设计适用于多种拓扑应用，如降压（Buck）、升压（Boost）和逆变器拓扑，提供更高的设计灵活性。
　　模块内部采用了优化的封装技术，具有良好的热管理能力，能够在高温环境下稳定运行，提升系统可靠性。
　　此外，FGW50XS65C 具有较低的寄生电感，有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），从而提升系统的稳定性和安全性。
　　由于其SiC材料特性，该模块支持更高的开关频率，有助于减小外围磁性元件的尺寸，提高功率密度，适用于紧凑型电源系统设计。

应用

FGW50XS65C 广泛应用于需要高效率、高频率和高可靠性的功率电子系统中。典型应用包括电动汽车车载充电器（OBC）、DC-DC变换器、光伏逆变器、储能变流器（PCS）、工业伺服驱动器和UPS不间断电源系统。
　　在电动汽车领域，该模块能够有效提升充电系统的转换效率和功率密度，满足高功率快充需求。
　　在可再生能源领域，FGW50XS65C 的高频特性有助于提高光伏逆变器的能效，降低系统损耗，同时支持更小体积的滤波元件，从而实现更紧凑的系统设计。
　　在工业自动化与能源管理领域，该模块可应用于高精度电源变换系统，提供稳定、高效的电力输出。