FGW50N65W 时间：2025/8/8 23:43:05 阅读：19

FGW50N65W 是一款由英飞凌（Infineon）推出的功率MOSFET晶体管，属于超级结（Super Junction）技术的MOSFET产品系列。该器件专为高效率、高频开关应用设计，广泛应用于电源转换器、适配器、电池充电器以及工业控制系统等领域。FGW50N65W具备高耐压（650V）和低导通电阻（Rds(on)）特性，能够在高功率密度设计中提供出色的性能。

参数

型号：FGW50N65W
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　最大漏极电流（Id）：50A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：80nC（典型）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-247

特性

FGW50N65W 是一款基于超级结技术的MOSFET，具有显著的性能优势。首先，其高耐压能力（650V）使其适用于多种高压电源转换应用，例如PFC（功率因数校正）电路和LLC谐振转换器。其次，该器件的导通电阻较低，最大值为0.15Ω，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。此外，FGW50N65W 具备较高的电流处理能力，最大漏极电流可达50A，适合高功率密度设计。
　　该MOSFET还具有良好的热稳定性和高可靠性，可在恶劣的环境条件下稳定运行。其TO-247封装形式便于散热，适用于高功率应用。此外，FGW50N65W 的栅极电荷（Qg）为80nC，支持高频开关操作，从而减小外围磁性元件的体积，提高系统效率。这些特性使得该器件在工业电源、服务器电源、太阳能逆变器等应用中表现出色。

应用

FGW50N65W 主要用于需要高效率和高功率密度的电力电子系统。典型应用包括开关电源（SMPS）、PFC电路、DC-DC转换器、AC-DC适配器、工业自动化设备以及UPS（不间断电源）。由于其高耐压和低导通电阻特性，它特别适合用于谐振转换器和硬开关拓扑结构。此外，FGW50N65W 也可用于新能源领域，如光伏逆变器和电动汽车充电模块，以提升系统能效和可靠性。