时间：2025/8/9 12:37:18
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FGW50N60H 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于超级结MOSFET类别。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，适用于如电源转换器、DC-DC变换器、逆变器等高功率电子系统。FGW50N60H采用TO-247封装，具有良好的热管理和电气性能，适用于工业和消费类电子应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：50A
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约0.15Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
FGW50N60H具备多项优越特性，首先其采用先进的超级结结构，使得导通电阻显著降低，从而减少导通损耗并提高效率。其次，该器件具有快速开关能力，适用于高频率开关操作，减少开关损耗并提高系统整体效率。此外，FGW50N60H具有优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，确保系统可靠性和寿命。其低栅极电荷（Qg）也使得驱动电路设计更为简单，降低驱动损耗。FGW50N60H还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在异常工作条件下的安全性。最后，该MOSFET的封装设计有利于散热，使得在高功率应用中能够保持较低的结温，提升整体系统性能。
FGW50N60H广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于：高效率电源供应器（如服务器电源、通信电源）、DC-DC转换器、逆变器（如UPS不间断电源、太阳能逆变器）、电机驱动器、电池充电器、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率管理模块。
FGW50N60S, FGW50N60AND, FCH070N60F
