时间：2025/8/9 4:57:47
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FGW40N120VD 是一款由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产的高功率 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极晶体管），专为高电压和高电流应用设计。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和 BJT 的低导通压降特性，广泛应用于工业电机控制、电源转换、UPS 和逆变器等领域。
类型：N 沟道 IGBT
最大集电极-发射极电压：1200V
最大集电极电流：40A（连续）
最大工作温度：150°C
导通压降：约 2.1V @ 40A, 15V 栅极驱动
栅极阈值电压：5.5V ~ 7.0V
封装类型：TO-247
FGW40N120VD 具有优异的热稳定性和高可靠性，适合在高温和高压环境下工作。其低导通压降和快速开关特性有助于降低功率损耗，提高系统效率。此外，该 IGBT 还内置了快速恢复二极管，提升了反向电流处理能力，减少了额外的外部元件需求。
该器件采用先进的沟槽栅和场截止技术，优化了电导调制效应，从而在高电流下保持较低的饱和电压。同时，其短路耐受能力较强，可在恶劣工况下提供更稳定的性能。
封装方面，TO-247 提供了良好的散热性能和机械强度，适用于需要高可靠性的工业和电力电子设备。
FGW40N120VD 常用于变频器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、太阳能逆变器和电焊机等电力电子设备中。其高耐压和大电流能力使其成为中高功率开关应用的理想选择。在工业自动化和新能源系统中，这款 IGBT 可有效提高系统的能效和稳定性。
FGA40N120D, IRGP40N120D, FGL40N120DN
