FGW30N60VD 时间：2025/8/9 11:19:44 阅读：28

FGW30N60VD是一款N沟道功率MOSFET，广泛用于高电压和高电流应用。该器件采用先进的平面条形技术和DMOS结构，具备优异的导通电阻和开关性能。其最大漏极电流可达30A，漏源电压可承受高达600V，适用于电源转换器、电机控制、UPS系统和各种开关电源电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：30A
　　最大漏源电压：600V
　　栅源电压范围：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.22Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

FGW30N60VD具备多项优良特性，如低导通电阻，能够有效降低功率损耗并提高系统效率；具备高耐压能力，适合高压环境下的应用；内部结构设计优化，提高了器件的开关速度和稳定性，降低了开关损耗；此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下正常工作，延长了使用寿命。其封装形式为TO-247，便于安装和散热处理，适用于多种工业和消费类电子产品。
　　在可靠性方面，FGW30N60VD具备较强的抗静电能力和过热保护特性，能够在复杂电磁环境下保持稳定工作状态。其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种控制电路，简化了驱动电路的设计难度。

应用

FGW30N60VD广泛应用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动电路、逆变器、不间断电源（UPS）以及各种高电压、高电流的功率电子设备中。其高耐压和高电流能力使其在工业自动化控制、新能源系统（如太阳能逆变器）和电动车充电设备等领域具有广泛应用前景。此外，也可用于功率因数校正（PFC）电路和LED驱动电源等应用。