FGW30N60VD是一款N沟道功率MOSFET,广泛用于高电压和高电流应用。该器件采用先进的平面条形技术和DMOS结构,具备优异的导通电阻和开关性能。其最大漏极电流可达30A,漏源电压可承受高达600V,适用于电源转换器、电机控制、UPS系统和各种开关电源电路。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:30A
最大漏源电压:600V
栅源电压范围:±30V
导通电阻(Rds(on)):典型值0.22Ω
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-247
FGW30N60VD具备多项优良特性,如低导通电阻,能够有效降低功率损耗并提高系统效率;具备高耐压能力,适合高压环境下的应用;内部结构设计优化,提高了器件的开关速度和稳定性,降低了开关损耗;此外,该器件具备良好的热稳定性,能够在高温环境下正常工作,延长了使用寿命。其封装形式为TO-247,便于安装和散热处理,适用于多种工业和消费类电子产品。
在可靠性方面,FGW30N60VD具备较强的抗静电能力和过热保护特性,能够在复杂电磁环境下保持稳定工作状态。其栅极驱动电压范围较宽,适用于多种控制电路,简化了驱动电路的设计难度。
FGW30N60VD广泛应用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动电路、逆变器、不间断电源(UPS)以及各种高电压、高电流的功率电子设备中。其高耐压和高电流能力使其在工业自动化控制、新能源系统(如太阳能逆变器)和电动车充电设备等领域具有广泛应用前景。此外,也可用于功率因数校正(PFC)电路和LED驱动电源等应用。
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