FGW15N120VD 时间：2025/8/9 17:20:04 阅读：33

FGW15N120VD是一款高压、高电流能力的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源转换应用而设计。该器件采用了先进的平面技术，提供了卓越的导通和开关性能，使其在高频开关条件下具有优异的能效表现。FGW15N120VD的额定电压为1200V，连续漏极电流可达15A，适用于工业电源、电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等多种高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：1200V
　　连续漏极电流（Id）：15A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.35Ω
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　最大功率耗散：150W

特性

FGW15N120VD具备多个关键特性，确保其在高功率应用中的稳定性和可靠性。
　　首先，该MOSFET采用先进的硅技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，从而提高了整体效率。在高频开关应用中，这一点尤为重要，因为它可以减少热量的产生并提高系统效率。
　　其次，FGW15N120VD具有较低的导通电阻（Rds(on)），降低了导通状态下的功率损耗，使得在高电流工作时仍能保持较低的温升。
　　此外，该器件具备较高的热稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持良好的性能。其封装采用TO-247形式，具有良好的散热性能，有助于提高系统的长期稳定性。
　　FGW15N120VD还具备优异的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保护器件免受损坏，从而提高系统的鲁棒性。
　　最后，该MOSFET的栅极驱动要求较低，适用于多种类型的驱动电路，降低了驱动电路的复杂度和成本。

应用

FGW15N120VD广泛应用于多种高功率电子系统中，包括：
　　工业电源系统：用于DC-DC转换器、AC-DC整流器等，提供高效率的能量转换。
　　电机驱动器：适用于变频器和伺服驱动器，提供快速开关能力和高耐压特性。
　　不间断电源（UPS）：用于逆变器部分，确保在电网故障时能够稳定供电。
　　可再生能源系统：如太阳能逆变器和风力发电变流器，用于将直流电转换为交流电并馈入电网。
　　电动汽车充电设备：作为功率开关元件，实现高效的电能转换。
　　其他高电压、高电流的开关应用领域，如焊接设备、感应加热等。