产品种类: IGBT晶体管
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-220F
集电极—发射极最大电压 VCEO: 330 V
集电极—射极击穿电压: 330 V
集电极—射极饱和电压: 1.15 V
栅极/发射极最大电压: 30 V
集电极最大连续电流 Ic: 200 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 28.4 W
封装: Tube
最大工作温度: + 125℃
最小工作温度: - 55℃
安装风格: Through Hole