时间：2025/5/8 16:24:18
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FGPF10N60UNDF 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-247 封装形式。该器件主要适用于高电压、高效率的开关应用场合，能够承受较高的阻断电压，同时具备较低的导通电阻，从而提高系统整体效率。
该 MOSFET 常用于工业电源、电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等应用领域。其出色的电气性能和可靠性使其成为工程师在设计高效功率转换电路时的理想选择。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：10A
导通电阻：3.5Ω
栅极阈值电压：4V
总功耗：180W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FGPF10N60UNDF 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：600V 的漏源电压使其能够在高压环境中稳定运行。
2. 低导通电阻：3.5Ω 的典型导通电阻减少了传导损耗，提高了效率。
3. 快速开关能力：具备快速开关速度，适合高频开关应用。
4. 高可靠性：通过严格的制造工艺和质量控制，确保器件在各种恶劣环境下的长期稳定性。
5. 良好的热性能：TO-247 封装提供了优秀的散热能力，有助于降低器件的工作温度。
FGPF10N60UNDF 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管或同步整流管使用。
2. 电机驱动：用于驱动直流无刷电机或其他类型的电机。
3. 不间断电源（UPS）：在 UPS 系统中作为功率开关元件。
4. 太阳能逆变器：在光伏系统中进行高效的直流到交流转换。
5. 工业自动化设备：如变频器、伺服控制器等需要高功率密度的应用场景。
IRFP460, STP10NK60Z, FGA20N65SMD
