FGP23N60UFD是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET,具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性。该器件广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器和电机控制等功率电子设备中。FGP23N60UFD采用了先进的超结(Super Junction)技术,显著降低了导通损耗和开关损耗,提高了整体效率。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极-源极电压(VDS):600V
最大连续漏极电流(ID):23A
导通电阻(RDS(on)):0.22Ω(最大值)
栅极-源极电压范围(VGS):±30V
漏极功耗(PD):140W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220
FGP23N60UFD采用了先进的超结技术,实现了极低的导通电阻(RDS(on))和优异的开关性能,从而降低了导通损耗和开关损耗,提高了系统效率。
其最大漏极-源极电压为600V,能够承受较高的电压应力,适用于各种高电压应用场景。
该器件的最大连续漏极电流为23A,具备较强的电流承载能力,适合用于高功率密度设计。
FGP23N60UFD的导通电阻典型值为0.22Ω,有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。
此外,该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定工作,延长设备的使用寿命。
其TO-220封装形式便于安装和散热,适用于多种标准电路板布局。
FGP23N60UFD主要用于各类高功率开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、UPS不间断电源、光伏逆变器、电机驱动电路以及工业自动化控制系统中。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适用于高效率电源转换系统。在电源适配器、LED驱动电源、电池充电器等应用中,FGP23N60UFD也能提供出色的性能表现。此外,在新能源汽车、储能系统和智能电网等领域,该器件也具备广泛的应用潜力。
STP23N60K3, STP23N60M5, FQA23N60, FCP23N60