时间：2025/8/24 23:07:39
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FGP23N60UFD是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET，具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性。该器件广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和电机控制等功率电子设备中。FGP23N60UFD采用了先进的超结（Super Junction）技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，提高了整体效率。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极-源极电压（VDS）：600V
最大连续漏极电流（ID）：23A
导通电阻（RDS(on)）：0.22Ω（最大值）
栅极-源极电压范围（VGS）：±30V
漏极功耗（PD）：140W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
FGP23N60UFD采用了先进的超结技术，实现了极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能，从而降低了导通损耗和开关损耗，提高了系统效率。
其最大漏极-源极电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于各种高电压应用场景。
该器件的最大连续漏极电流为23A，具备较强的电流承载能力，适合用于高功率密度设计。
FGP23N60UFD的导通电阻典型值为0.22Ω，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。
此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作，延长设备的使用寿命。
其TO-220封装形式便于安装和散热，适用于多种标准电路板布局。
FGP23N60UFD主要用于各类高功率开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、光伏逆变器、电机驱动电路以及工业自动化控制系统中。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适用于高效率电源转换系统。在电源适配器、LED驱动电源、电池充电器等应用中，FGP23N60UFD也能提供出色的性能表现。此外，在新能源汽车、储能系统和智能电网等领域，该器件也具备广泛的应用潜力。
STP23N60K3, STP23N60M5, FQA23N60, FCP23N60
