时间：2025/4/29 16:42:15
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FGP10N60UNDF 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），适用于高电压和高电流应用。该器件采用 TO-247 封装，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
其典型应用场景包括开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效功率管理的领域。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：10A
导通电阻：3.5Ω
栅极电荷：50nC
总功耗：180W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FGP10N60UNDF 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，支持高达 600V 的漏源电压，适合高压环境下的使用。
2. 低导通电阻，减少传导损耗，提高效率。
3. 快速开关性能，能够实现高频操作，适用于开关电源等高频场景。
4. 出色的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
5. 内置防静电保护功能，提高器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
FGP10N60UNDF 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，用于高效能量转换。
2. 工业电机控制和驱动，提供稳定的功率输出。
3. 逆变器电路，适用于太阳能逆变器等新能源系统。
4. 各类电力电子设备中的功率开关元件。
5. 电磁阀和继电器驱动电路。
6. 负载切换和保护电路中作为开关使用。
FGP10N60K, IRFZ44N, STP10NK60Z
