时间：2025/8/25 5:28:36
阅读：9
FGM75D06V1是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的功率MOSFET模块，适用于高功率密度和高效率的应用。该模块采用先进的沟槽栅极技术，提供出色的导通和开关性能，适用于工业电机驱动、电动汽车充电系统和可再生能源逆变器等领域。
类型：功率MOSFET模块
最大漏极电压(Vdss)：600V
最大漏极电流(Id)：75A
导通电阻(Rds(on))：典型值为15mΩ
封装类型：双列直插式封装（DIP）
工作温度范围：-55°C至+150°C
栅极驱动电压：+10V至+20V
最大功耗：100W
FGM75D06V1具有优异的导通特性和低开关损耗，适用于高频率开关应用。其先进的沟槽栅极技术有效降低了导通电阻，提高了系统的整体效率。此外，该模块具备良好的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定工作。
为了提高可靠性和耐用性，FGM75D06V1采用了坚固的封装设计，能够承受较大的机械应力和热应力。模块内部的散热结构优化，有助于快速散热，从而延长使用寿命。
该功率MOSFET模块还具有良好的抗短路能力和过流保护特性，确保在异常工作条件下仍能保持稳定运行。同时，其低电感设计减少了开关过程中的电压尖峰，提高了系统的电磁兼容性。
FGM75D06V1广泛应用于工业自动化设备、电机控制、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及不间断电源（UPS）等高功率电子系统。由于其高效能和高可靠性，该模块特别适合需要高功率密度和良好热管理的场合。
FGM75D06V1-A, FGM75D06W1, FGM75D06Y1
