类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：1200V
　　漏极电流(ID)：25A（在TC=25℃）
　　最大功耗(PD)：200W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　栅极阈值电压(VGS(th))：典型值为5V（范围为4V至6V）
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为0.18Ω
　　漏极-源极击穿电压(BR)：1200V
　　封装形式：TO-247

FGL25N120ANTD具有多项优良的电气和物理特性。首先，其高耐压能力（1200V）使其适用于高压功率转换系统，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。其次，该MOSFET具备较低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其先进的Trench Field Stop技术显著降低了开关损耗，使器件在高频开关应用中表现出色。
　　另一方面，该器件的封装设计（TO-247）提供了良好的散热性能，确保在高电流工作条件下仍能维持较低的温度。FGL25N120ANTD还具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受瞬时过电压和过电流冲击，提高系统的稳定性和可靠性。
　　由于其高可靠性和高性能，FGL25N120ANTD适用于需要高效率和高稳定性的功率电子设备，如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电机驱动系统。

FGL25N120ANTD广泛应用于多个高功率电子系统中。在工业领域，它可用于电源转换器、直流-交流逆变器、马达控制模块和高频开关电源。在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统，该MOSFET可提供高效的功率转换能力，提升整体能效。此外，它还可用于UPS（不间断电源）系统，以确保在电力中断时提供稳定的输出电压。
　　在电动汽车和充电桩系统中，FGL25N120ANTD可用于DC-DC转换器和车载充电器，其高耐压和低导通电阻特性有助于提高充电效率并减少发热。同时，该器件也适用于家电产品中的变频器系统，如空调压缩机和洗衣机马达驱动。

FGA25N120ANTD, FGH25N120ANTD