时间：2025/5/9 15:15:06
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FGHL75T65LQDT是一款高压MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），采用TO-247封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他功率转换电路中。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻：1.9mΩ
栅极电荷：180nC
总电容：2000pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
FGHL75T65LQDT的主要特性包括：
1. 高击穿电压（650V），适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（1.9mΩ），可显著降低传导损耗。
3. 较小的栅极电荷（180nC），有助于实现快速开关性能。
4. 高温稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
6. TO-247封装，便于散热设计和集成到各种功率模块中。
该芯片适用于多种高压功率转换场景，典型应用包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中的功率转换。
4. 工业设备中的大功率负载切换。
5. 高频DC-DC变换器中的同步整流或开关元件。
IRFP260N, STP30NF65, FDP15U65A
