时间：2025/4/30 19:20:32
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FGH75T65SQD-F155 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，采用 TO-247 封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于需要高效率和低损耗的应用场景，例如开关电源、电机驱动和逆变器等。其额定电压为 650V，能够满足大多数高压应用需求。
该型号的设计重点在于优化了 Rds(on) 和 Qg 参数之间的平衡，从而实现了更高的系统效率和更低的发热。同时，由于采用了先进的封装技术，FGH75T65SQD-F155 具备良好的散热性能，适合长时间连续运行的工业环境。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：75A
脉冲漏极电流：300A
导通电阻（Rds(on)）：15mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：95nC（最大值）
输入电容（Ciss）：3800pF
总电容（Crss）：60pF
输出电容（Coss）：110pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
1. 高击穿电压：650V 的额定电压确保了 FGH75T65SQD-F155 在高压应用中的稳定性。
2. 超低导通电阻：仅 15mΩ 的典型导通电阻显著降低了功率损耗，提高了整体效率。
3. 快速开关能力：较小的栅极电荷和优化的寄生电容设计使得该 MOSFET 可以实现快速开关，减少开关损耗。
4. 强大的散热性能：TO-247 封装提供了优秀的热传导路径，使器件能够在高负载条件下长期稳定运行。
5. 广泛的工作温度范围：支持从 -55℃ 到 +175℃ 的结温范围，适应各种恶劣环境下的使用需求。
6. 符合 RoHS 标准：环保材料的选择使其符合国际环保法规要求。
1. 开关电源（SMPS）
2. 工业电机驱动
3. 太阳能逆变器
4. 电动汽车牵引逆变器
5. 不间断电源（UPS）系统
6. LED 照明驱动
7. 高频 DC-DC 转换器
8. PFC（功率因数校正）电路
9. 其他需要高压、大电流和高效切换的应用场景
