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FGH40T120SQDNL4 发布时间 时间:2025/5/29 11:36:58 查看 阅读:9

FGH40T120SQDNL4是一款基于IGBT技术的功率半导体器件,专为高频开关应用设计。该芯片采用先进的沟槽场截止(Trench Field Stop)技术,具有低导通损耗和快速开关速度的特点。其额定电压为1200V,额定电流为40A,适合应用于工业电源、太阳能逆变器、电机驱动以及不间断电源(UPS)等高效率功率转换场景。
  这款IGBT芯片在设计上注重降低开关损耗和提升系统可靠性,同时具备短路保护能力,能够在极端条件下维持稳定运行。此外,它采用了无铅封装工艺,符合RoHS标准,适用于对环保要求较高的现代电子设备。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:40A
  集电极-发射极饱和压降(Vce(sat)):1.8V(典型值,@Ic=25A,Tj=25°C)
  栅极-发射极开启阈值电压(Vge(th)):12V~16V
  关断时间(t(off)):90ns(典型值)
  开通时间(t(on)):70ns(典型值)
  最大工作结温:175°C
  存储温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:QDNL4

特性

FGH40T120SQDNL4的主要特点是低开关损耗和优秀的热性能。通过优化芯片结构,该IGBT实现了较低的集电极-发射极饱和压降(Vce(sat)),从而减少导通损耗。此外,它的快速开关速度能够有效降低开关过程中的能量损失,提高整体系统的效率。
  该芯片还具有良好的抗雪崩能力和短路耐受时间,能够在突发情况下保护电路免受损害。同时,其高结温能力使得器件能够在高温环境下保持稳定的性能输出,延长使用寿命。
  另外,FGH40T120SQDNL4采用无铅环保封装,满足国际环保法规要求,非常适合绿色能源相关应用。

应用

FGH40T120SQDNL4广泛应用于需要高效功率转换的领域,包括但不限于以下场景:
  1. 工业电源:如开关电源(SMPS)、焊接设备等;
  2. 新能源领域:如太阳能逆变器、风能发电系统等;
  3. 电机驱动:用于变频器控制交流电机的速度与扭矩;
  4. 不间断电源(UPS):提供可靠备用电源解决方案;
  5. 电动汽车(EV):参与车载充电器(OBC)和牵引逆变器的设计。
  这些应用均受益于其低损耗特性、高可靠性和宽温度范围适应性。

替代型号

FGH50T120SQDNL4
  FGH30T120SQDNL4
  IRGB40PCS120D
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FGH40T120SQDNL4参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥67.10000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)160 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)160 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)1.95V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值454 W
  • 开关能量1.4mJ(开),1.1mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷221 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值46ns/220ns
  • 测试条件600V,40A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)166 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-4
  • 供应商器件封装TO-247-4L