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FGH40T120SMD-F155 发布时间 时间:2025/6/29 15:54:50 查看 阅读:8

FGH40T120SMD-F155是一款基于硅材料制造的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),采用SMD表面贴装封装,适用于高频开关电路、DC-DC转换器、电机驱动、电源管理等应用领域。
  该器件具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低能量损耗并提高效率。同时,其紧凑的封装形式使其非常适合于空间受限的设计。

参数

最大漏源电压:120V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:3.5mΩ(典型值,在特定条件下)
  栅极电荷:12nC(典型值)
  开关时间:开通延迟时间19ns,关断传播时间38ns(典型值)
  结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:SMD

特性

FGH40T120SMD-F155拥有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻,确保在高电流应用中实现高效能表现。
  2. 快速开关速度,减少开关损耗,适合高频工作场景。
  3. 高可靠性设计,能够在极端温度范围内稳定运行。
  4. 紧凑型SMD封装有助于节省PCB空间,并简化散热管理。
  5. 符合RoHS标准,支持环保要求。
  6. 具备优秀的热稳定性和电气性能,能够适应多种复杂工况。

应用

这款MOSFET广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 电机驱动控制电路,如无刷直流电机(BLDC)驱动。
  3. 电池管理系统(BMS),用于保护和监控电池组。
  4. DC-DC转换器,包括降压、升压以及反激式拓扑结构。
  5. 汽车电子设备,例如车载充电器和电动助力转向系统。
  6. 工业自动化设备中的负载切换和功率调节功能。

替代型号

FGH40T120SMD-F150
  IRFZ44N
  STP40NF12W
  FDP065N12SBD

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FGH40T120SMD-F155参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥76.56000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)80 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)160 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.4V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值555 W
  • 开关能量2.7mJ(开),1.1mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷370 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值40ns/475ns
  • 测试条件600V,40A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)65 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装TO-247-3