FGH40T120SMD-F155是一款基于硅材料制造的N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),采用SMD表面贴装封装,适用于高频开关电路、DC-DC转换器、电机驱动、电源管理等应用领域。
该器件具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低能量损耗并提高效率。同时,其紧凑的封装形式使其非常适合于空间受限的设计。
最大漏源电压:120V
连续漏极电流:40A
导通电阻:3.5mΩ(典型值,在特定条件下)
栅极电荷:12nC(典型值)
开关时间:开通延迟时间19ns,关断传播时间38ns(典型值)
结温范围:-55℃至175℃
封装形式:SMD
FGH40T120SMD-F155拥有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,确保在高电流应用中实现高效能表现。
2. 快速开关速度,减少开关损耗,适合高频工作场景。
3. 高可靠性设计,能够在极端温度范围内稳定运行。
4. 紧凑型SMD封装有助于节省PCB空间,并简化散热管理。
5. 符合RoHS标准,支持环保要求。
6. 具备优秀的热稳定性和电气性能,能够适应多种复杂工况。
这款MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换模块。
2. 电机驱动控制电路,如无刷直流电机(BLDC)驱动。
3. 电池管理系统(BMS),用于保护和监控电池组。
4. DC-DC转换器,包括降压、升压以及反激式拓扑结构。
5. 汽车电子设备,例如车载充电器和电动助力转向系统。
6. 工业自动化设备中的负载切换和功率调节功能。
FGH40T120SMD-F150
IRFZ44N
STP40NF12W
FDP065N12SBD